意思就是要用欧姆表去直接测量.欧姆表就是自身产生一个弱电流,去测量探针两端的电压,然后和自身的体电阻比较,最后给出电阻值.但是这对于半导体是不准确的,半导体电阻无法用两根探针测量的主要原因是:1．接触电阻的影响严重。探针与半导体接触产生一定

金属与半导体之间的接触势垒是"肖特基势垒".它与其他半导体之间的接触一样,形成PN结、空间电荷区（耗尽层）和接触势垒；它与其他半导体之间的接触不一样之处是：它的空间电荷区（耗尽层）在金属的一侧特别薄.接触势垒

ROHM公司总部所在地设在日本京都市,1958年作为小电子零部件生产商在京都起家的ROHM，于1967年和1969年逐步进入了 晶体管、二极管领域和IC等半导体领域.2年后的1971年ROHM作为第一家进入美国硅谷的日本企业,在硅谷开设了I

因为低档半导体收音机等普遍采用的是碳膜电位器调节音量，这种电位器的致命弱点，是它的碳膜片及接触刷易产生接触不良及杂质，所以用过一段时间后会产生杂音。你可用无水酒精滴入该电位器(就是俗常说的音量旋钮)内，左右旋动数次试试。有可能的话，点入一两

这个是贴片SOP8封装的贴片场效应管，也就是MOSFET，八个脚位，这个测试比普通二三极管都要麻烦一些，如果没有测试仪器可以焊接在电路中测试了 你可以去鲁晶半导体，汇丰中天看一下型号，邮箱：2850130093@qq.comss54肖特基二

德国物理学家欧姆研究电流的故事 欧姆的故事 欧姆是德国著名的物理学家，他发现了电阻中电压和流过它的电流之间的关系，提出了著名的欧姆定律，并证明了导体的电阻和它自身性质的关系，还证明了稳定电流流动时电荷的分布问题，在电阻的领

FB996焊线和ASM区别主要在于使用的材料不同。FB996焊线采用的是低温铜合金材料，而ASM焊线采用的是铝合金材料。因此，FB996焊线相对于ASM焊线来说，具有更高的强度和韧性，更能够抵抗更高温度的环境。Wire Bond是焊线的意思

1、cs行业是指ComputerScience行业，也就是计算机科学，这是一个涉及各个计算机技术领域的新兴行业。2、IntegrATEdCircuit，即集成电路，IC行业简单理解就是芯片行业半导体行业。IC按功能可分为：数字IC、模拟I

氢氟酸Hydrofluoric AcidCAS理化性质:氢氟酸是氟化氢气体的水溶液,为无色透明至淡黄色冒烟液体。有刺激性气味。分子式 HF-H2O。相对密度 1.15～1.18。沸点 112.2℃(按重量百分比计为38.2%)。市售通常浓度

欧姆接触是指金属与半导体形成欧姆接触是指在接触处是一个纯电阻，而且该电阻越小越好，使得组件 *** 作时，大部分的电压降在活动区而不在接触面。因此，其I-V特性是线性关系，斜率越大接触电阻越小，接触电阻的大小直接影响器件的性能指标。肖特基接触是指

通过升降导电橡胶垫和半导体芯片接触将半导体芯片上的静电电荷转移接地消除。半导体制造中特别容易产生静电释放，静电释放（ESD）是一种形式的玷污，可以通过升降导电橡胶垫和半导体芯片接触将半导体芯片上的静电电荷转移接地消除，达到快速消除半导体芯片

DB就是把芯片通过胶黏贴到PCB板或别的什么东西上，WB就是通过一道工序，用设备把芯片和PCB通过金线，铝线，连接的过程，就是两道工序，但是这个是基础，也是核心，很重要，涉及到后续很多的异常和品质~~~~~Wire Bond是焊线的意思

泊松方程表明电荷产生电场：电位的二阶导数与电荷密度成正比。近似条件：PIN结中无载流子即全部耗尽，施主和受主完全电离。PIN结的泊松方程：(0&ltx&ltXn)d^2V(x)dx^2=-Ndε，(-Xp&

在不考虑表面态的作用下，金属与n型半导体接触，金属的功函数大于半导体的功函数，形成阻挡层，即整流作用。金属与p型半导体接触，金属的功函数小于于半导体的功函数，形成阻挡层。但在实际情况中，表面态不可忽略，会直接影响阻挡层和反阻挡层的形成。金属

好干。因为半导体是高端产业就是高技术产业，工作是非常轻松，每天产量也是非常大的，他们都是机器 *** 控，就像光刻机一类的。比如半导体测试普工，工作就比较轻松好干，半导体测试工序非常简单，员工只需要学会简单 *** 作机器，测试产品质量，就可以了。我对fo

任何两种相接触的固体的费米能级（Fermi level）（或者严格意义上，化学势）必须相等。 费米能级和真空能级的差值称作功函数。 接触金属和半导体具有不同的功函，分别记为φM和φS。 当两种材料相接触时，电子将会从低功函（高费米能级） 一

比亚迪半导体工艺工程师累。根据查询相关信息显示：非常累，工程师，是倒班工作，两班倒，很累。基本上12小时中有5到8个小时在产线里，干活确实比较累的，为了加大出货量生产线基本是不停的。岗位要求统招本科及以上学历，材料学、物理学、电子科学等相关

欲形成好的欧姆接触，有二个先决条件：（1）金属与半导体间有低的界能障碍。（2）半导体有高浓度的杂质掺入。前者可使界面电流中热激发部分增加，后者则使半导体耗尽区变窄，电子有更多的机会直接穿透(Tunneling)，而同时使Rc阻值降低。

欧姆接触是指金属与半导体形成欧姆接触是指在接触处是一个纯电阻，而且该电阻越小越好，使得组件 *** 作时，大部分的电压降在活动区而不在接触面。因此，其I-V特性是线性关系，斜率越大接触电阻越小，接触电阻的大小直接影响器件的性能指标。肖特基接触是指