为了防止静电积累所引起的人身电机、火灾和爆炸、电子器件失效和损坏，以及对生产的不良影响而采取的防范措施。其防范原则主要是抑制静电的产生，加速静电的泄漏，进行静电中和等等。静电防护的原则，则是：对产生静电的主要因素（物体的特性、表面状态、带电

所谓欧姆接触。通俗地讲，就是对接触面加正向电压时，接触面对载流子的阻挡力都很小（或基本相同）。从形成接触的机理来看，任何两种不同材料的接触，都会形成整流效果（因为有接触势垒），因为没有任何两种材料的功函数是完全一样的。以金属和半导体的接触

任何两种相接触的固体的费米能级（Fermi level）（或者严格意义上，化学势）必须相等。 费米能级和真空能级的差值称作功函数。 接触金属和半导体具有不同的功函，分别记为φM和φS。 当两种材料相接触时，电子将会从低功函（高费米能级） 一

欧姆接触是指金属与半导体形成欧姆接触是指在接触处是一个纯电阻，而且该电阻越小越好，使得组件 *** 作时，大部分的电压降在活动区而不在接触面。因此，其I-V特性是线性关系，斜率越大接触电阻越小，接触电阻的大小直接影响器件的性能指标。肖特基接触是指

半导体存储器。用半导体器件组成的存储器。磁表面存储器是用磁性材料做成的存储器。按存储方式分。随机存储器是任何存储单元的内容都能被随机存取，且存取时间和存储单元的物理位置无关。顺序存储器是只能按某种顺序来存取，存取时间和存储单元的物理位置有关

肖特基势垒是指具有整流特性的金属-半导体接触，就如同二极管具有整流特性。是金属-半导体边界上形成的具有整流作用的区域。 肖特基势垒指具有大的势垒高度（也就是ΦBn 或者 ΦBp &gt&gtkT）,以及掺杂浓度比导带或价

ss54肖特基二极管可用ss34肖特基二极管代替。二者它们都是肖特基二极管，耐压值都是40V，差别就是工作电流不同，SS34额定工作电流为3A，SS54额定工作电流为5A。若电流不大，可以互换使用。肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Sch

1、定义不同欧姆接触是指在接触处是一个纯电阻，而且该电阻越小越好，使得组件 *** 作时，大部分的电压降在活动区而不在接触面。因此，其I-V特性是线性关系，斜率越大接触电阻越小，接触电阻的大小直接影响器件的性能指标。肖特基接触是指金属和半导体材

集成电路中的二极管不同于一般的二极管，通常是采用三极管来作为二极管使用的。可参见“http:blog.163.comxmx028@126”中的有关"IC中的pn结二极管"的说明。《半导体器件物理与工艺》所讲的器件

不一样.半导体在不掺杂、绝对零度下是不导电的.掺杂或温度产生了载流子才导电,但是电阻和金属相比还是非常大.半金属还是金属,只是由于它的磁性使得自旋向下的电子能带在费米能级附近出现了能隙.因此导电的只有自旋向上的电子.半金属被用来设计自旋

任何两种相接触的固体的费米能级（Fermi level）（或者严格意义上，化学势）必须相等。 费米能级和真空能级的差值称作功函数。 接触金属和半导体具有不同的功函，分别记为φM和φS。 当两种材料相接触时，电子将会从低功函（高费米能级） 一

重掺杂的半导体与金属接触。常用的方法是在n型或p型半导体上制作一层重掺杂区后再与金属接触。金属半导体欧姆接触的制作总体上可以分为两种方式：离子注入与外延。所谓欧姆接触，是指金属与半导体的接触，而其接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻，使得组

我对foundry工艺工程师不是很熟悉，没有直接且具体的接触过这个职位，仅仅根据我的一些了解给你一些建议吧。首先，我现在是做集成电路设计的，因为有流片所以和foundry有一些接触，先说上班时间，你要清楚，foundry在生产上是没有节假日

一：经典自由电子理论金属电子被束缚能较低,可以在金属中自由移动.所以加了电压就可以导电. 而半导体是以共价键形式存在,原子核对最外层电子的束缚较强,所以电子不可以随意移动.但是由于半导体是体材料,所以有好多的原子就在一起,那么他们的电子壳层

功函数的差别是基本因素。不同材料（甚至液体-固体，液体-液体）之间的接触势垒都可以根据其功函数差来确定。半导体的功函数是Fermi能级与真空自由电子能级的差，同一种半导体的p型材料与n型材料接触时，因为n型半导体的功函数小于p型半导体，所以

ss14是肖特基二极管1A，反向耐压40V。ss14肖特基管子的特点是工作速度快，电流大，但反向耐压小(SS14只有40V)，所以它跟一般的整流管(比如1N4007)还不能直接换用。 二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器

《半导体器件物理与工艺》所讲的器件种类要少，而且后面还有一定篇幅讲工艺，《半导体器件物理》这本书各种半导体器件都涉及到了，当时也认真学了，感觉很开拓思路，但是施敏有些地方还是没写清楚，还好上课的时候老师差不多把施敏没讲清楚的地方都给我们提出

任何两种相接触的固体的费米能级（Fermi level）（或者严格意义上，化学势）必须相等。 费米能级和真空能级的差值称作功函数。 接触金属和半导体具有不同的功函，分别记为φM和φS。 当两种材料相接触时，电子将会从低功函（高费米能级） 一

一般来说，半导体代工厂的工艺技术员主要负责每道工序的参数测试及配合设备工程师调试机台，收集重要数据，控制一些重要参数的工作。定期做产品的测试，掌握产品的质量信息，并共同和设备工程师和制程工程师分析讨论如何控制据台参数的稳定性。发展前景很好。