电接枝_内存溢出

技术

电接枝技术助力高深宽比TSV

3D-IC设计者希望制作出高深宽比(HAR>10:1)硅通孔(TSV)，从而设计出更小尺寸的通孔，以减小TSV通孔群在硅片上的占用空间，最终改进信号的完整性。事实上，当前传统的TSV生产供应链已落后于

dell无线网卡驱动
2022-8-2
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电接枝技术助力高深宽比TSV