引言  正向浪涌能力是评价碳化硅二极管应用和可靠性的一项重要参数，为简约表述，下文二极管皆指代碳化硅二极管。通常二极管厂家会对二极管进行 10ms浪涌的测试。其主要原理就是通过设备产生一个10ms半周

随着第三代半导体的普及，及对功率密度的高需求，第三代半导体在一些高功率应用领域逐渐取代硅功率器件。而在USB PD 快充产品上为了降低了开关损耗并提高开关频率此前普遍使用氮化镓功率器件。事实上，不仅氮