电动汽车和混合动力电动汽车的制造商正在为多个动力总成阶段寻找高效的功率转换解决方案。宽带隙半导体，如碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)，在几个方面比硅具有性能优势：更高的效率和开关频率，以及承受

宽禁带半导体（WBS）是自第一代元素半导体材料（Si）和第二代化合物半导体材料（GaAs、GaP、InP等）之后发展起来的第三代半导体材料，禁带宽度大于2eV，这类材料主要包括SiC（碳化硅）、C-B

工业级650V、10A SiC肖特基二极管样品现已开始供货。还将计划推出1200V6-20A电流范围部件和车规级部件。奈梅亨，2021年11月5日：基础半导体元器件领域的专家Nexperia，今天宣

爱尔兰都柏林——2021年9月3日--氮化镓功率芯片的行业领导者纳微半导体公司宣布，联合创始人兼首席运营官首席技术官Dan Kinzer在SEMICON Taiwan 2021的功率和光电半导体线上

2021年9月5日，由保定市人民政府和第三代半导体产业技术创新战略联盟共同主办的“2021白石山第三代半导体峰会”在保定市涞源成功召开。中国工程院院士、北京有色金属研究总院名誉院长、中国有色金属工业协

中国北京2021年11月8日 – 近日，由忱芯科技（UniSiC）主办的碳化硅功率半导体及应用研讨会在苏州成功召开，横跨芯片、材料、封装及应用领域的多位国内外顶尖的宽禁带半导体技术带头人受邀参会，围绕