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凌力尔特推出高速同步MOSFET驱动器LTC4449
凌力尔特推出高速同步MOSFET驱动器LTC4449LTC4449 在 4V 至 6.5V 范围内驱动高端和低端 MOSFET 栅极,以高达 38V 的电源电压工作。这个强大的驱动器可以吸收高达 4.
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凌力尔特双组Hot Swap控制器LTC4226具备d性限流
凌力尔特(Linear Technology )发表双组 Hot Swap控制器LTC4226,可安全地使电路板插入 *** 作中的4.5V至44V背板。LTC4226可控制外部N通道MOSFET以和缓地启动
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安森美半导体在APEC 2021发布新的用于电动车充电的完整碳化硅MOSFET模块方案
全面的宽禁带器件组合实现高性能充电方案2021年6月8日—推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),发布一对1200 V完整的碳化硅 (SiC)
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T-Mobile与Nortel宣布共同完成LTE移动性测试
T-Mobile与Nortel宣布共同完成LTE移动性测试北电(Nortel)与T-Mobile宣布共同完成LTE移动性测试。这项合作使T-Mobile正式成为全球首家成功展示新一代移动网路(Next
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Robust Contact Monitor Simplif
Abstract: This applicaTIon note demonstrates how the MAX13362 automoTIve switch monitor performs dur