功率MOS场效应晶体管是新一代电力电子开关器件，在微电子工艺基础上实现电力设备高功率大电流的要求。自从垂直导电双扩散VDMOS(VerTIcalDou-ble-diff used Metal Oxid

在电动自行车里，直流无刷电机的逆变器由六个功率VDMOS管和六个续流二极管组成，六个续流二极管分别寄生在这六个VDMOS管里，因而从控制器外面看只有六个VDMOS管。这六个VDMOS管通过大电流，它们

DMOS与CMOS器件结构类似，也有源、漏、栅等电极，但是漏端击穿电压高。DMOS主要有两种类型，垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管VDMOSFET(verTIcal double-diffused

1 引言目前，我国功率MOSFET 产业已经初步形成，产品主要集中在60V~600V 中小电流范围，对于200V100A以上的中高压大电流器件，尚未见到国产的成熟产品。分析了功率MOSFET 最大额

一种减少VDMOS寄生电容的新结构0 引 言    VDMOS与双极晶体管相比，它的开关速度快，开关损耗小，输入电阻高，驱动电流小，频率特性好，跨导高度线性等优点。特别值得指出的是，它具有负温度系数