日前，中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心在下一代新型FinFET逻辑器件工艺研究上取得重要进展。微电子所殷华湘研究员的课题组利用低温低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上实现了全金属化源漏

Globalfoundries砸100亿美元在中国成都兴建晶圆厂，昭示着中国正在发动扩充本土半导体产能的军备竞赛；谁是这桩交易中的赢家？谁又将因为横扫中国的「晶圆厂海啸」而成为输家？晶圆代工业者Glo

2017年2月10日，Globalfoundries（格芯）宣布在中国成都高新西区建立12英寸代工厂，在半导体业界造成了巨大的影响：项目一期为成熟的130nm和180nm工艺，二期则为其22 FDX

根据阿联酋阿布达比先进技术投资公司（ATIC），即现在的穆巴达拉发展公司（Mubadala）9月发布的2016年上半年度财务报表显示，其半导体技术事业分部（主要是Global Foundries）净亏

在恩智浦公司大获成功并得到广泛部署应用的i.MX平台中，最新一代的具功率效率和全功能的应用处理器正在采用28nm FD-SOI工艺生产。新的i.MX 7系列采用了32位ARM v7-A内核，主要面向功

耗尽型绝缘上覆矽（FD-SOI）制程技术正从原本的“迟到”（too-late）位置摇身一变，成为可望在物联网（IoT）与汽车市场取代鳍式场效电晶体（FinFET）的理想替代方案了。对于许多人来说，业界

半导体晶圆代工公司格罗方德（Globalfoundries）日前开发出支援4种技术制程的22nm FD-SOI平台，以满足新一代物联网（IoT）装置的超低功耗要求——这主要来自于该公司与意法半导体（S

晶圆代工厂商Globalfoundries位于德国德勒斯登（Dresden）的晶圆厂，可能成为一家欧洲本地芯片厂商缺乏勇气去委托生产的“超越摩尔定律（More-than-Moore）”晶圆代工厂商；因

在我们大多数人“非黑即白”、“非此即彼”的观念里，半导体厂商应该不是选择FinFET就是FD-SOI工艺技术；不过既然像是台积电（TSMC）、 GlobalFoundrie或三星（Samsung）等晶

中国上海，2015年7月14日格罗方德半导体（GLOBALFOUNDRIES）今日发布一种全新的半导体工艺，以满足新一代联网设备的超低功耗要求。“22FDX™”平台提供的性能和功耗媲美FinFET，而

格罗方德半导体今日发布了全新的12nm FD-SOI半导体工艺平台12FDXTM，实现了业内首个多节点FD-SOI路线图，从而延续了其领先地位。新一代12FDXTM平台建立在其22FDXTM平台的成功

据外媒Electronicsweekly报道，MemoirSystems宣布已采用其算法内存技术为意法半导体独有的FD-SOI（FullyDepletedSilicon-on-Insulator，全耗

横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体宣布，意法半导体完全空乏型矽绝缘层金氧半电晶体元件（FD-SOI）技术荣获全球两大知名电子技术专业媒体电子工程专辑（EETImes）和电子技术设计

意法半导体（ST）宣布意法半导体完全空乏型矽绝缘层金氧半电晶体元件（FD-SOI）技术荣获2013年度电子成就奖（ACE）能源技术奖。电子成就奖旨在于表彰那些改变电子世界和影响人们工作、生活和娱乐方式

意法半导体（ST）28纳米FD-SOI技术运行速度达到3GHz.快速简单且高能效得到证明，新技术不断取得更大成功。横跨多重电子应用领域半导体供应商意法半导体宣布，其28纳米FD-SOI技术平台在测试中

对于智能手机、平板电脑等移动产品而言，SoC（system on chip）是它们的心脏。最近意法半导体（ST）已开始面向28nm工艺SoC量产完全耗尽型SOI（fullydepletedsilico

半导体产业来到了一个十字路口：有些设计追求微缩至7纳米节点制程，但大多数设计其实还停留在28纳米或更旧的节点。就如同我们在两年多以前所预测，IC产业正分头发展，只有少数产品积极追求微缩至7纳米制程节点

电子发烧友网讯【翻译Triquinne】：伦敦消息，Altera一位高级工程师对全耗尽型SOI（FDSOI）芯片制造过程进行评估，并得出以下结论：对FPGA而言，该技术（全耗尽型SOI技术）有着特殊

本文论述并比较目前移动平台所采用的主要的多核处理技术，重点介绍多核处理技术与意法·爱立信未来产品所采用的具有突破性的FD-SOI 硅技术之间的协同效应，通过对比个人计算机市场，例证移动平台的单核处理器