垂直式自旋磁性内存技术

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MRAM技术再突破工研院启动全新内存战局（下）

MRAM是一种磁性多层膜的堆栈结构，在这当中最为关键的三层，上下两层为磁性层（一为参考层，一为自由层），中间则为绝缘层。早前的MRAM的磁性层的磁化方向是水平排列，并可由电流来控制旋转方向。方向相同时

农林卫视
2022-8-3
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