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亚微米CMOS电路中VDD-VSSESD保护结构设计
1 引言ESD(Electric StaTIc Discharge)保护结构的有效设计是CMOS集成电路可靠性设计的重要任务之一,其ESD结构与工艺技术、特征尺寸密切相关,随着IC工艺技术的进一步发展
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亚微米IC设计挑战
在芯片科技日新月异的驱策下,设计挑战也持续倍增;全球消费者导向市场瞬息万变,设计师的效率也愈形重要。与几代之前的芯片相比较,今日的实体设计复杂程度常令人瞠目结舌;特别在互连性(InterconnecT