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下一代高压SiC MOSFET的可靠性和稳健性测试
在当今这一代,电力电子设备几乎在从交流适配器到传输系统的各个领域都有应用。这些器件包含硅 (Si) 作为低压和高压器件的主要元素。然而,随着半导体行业的最新进展,碳化硅 (SiC) 已被证明是硅基 M
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“助攻”电源设计:900V SiC MOSFET导通电阻创新低!
全球SiC领先者CREE推出了业界首款900V MOSFET:C3M0065090J。凭借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM场效应晶体管技术,该n沟道增强型功率器件还对高频电力电子应用进行了
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泰克解锁SiC功率器件动态测试系统,华南首台在深圳美浦森半导体正式交付
中国北京2021年8月19日 –日前,泰克在华南地区首台DPT1000A在深圳美浦森半导体正式交付。DPT1000A功率器件动态参数测试系统由泰克科技领先研发,一经推出就受到广大科研和企业用户的强烈关