NexGen Power Systems Inc. 正在使用GaN 衬底上的同质外延 GaN 制造垂直功率器件（垂直氮化镓或垂直 GaN）。垂直 GaN 器件能够以更高的频率进行开关并在更高的电压下工

功率器件领域已经进入到Si（硅）、SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）三种半导体材料并用的时代。过去，人们一直利用硅的加工性能良好的特点，借助精雕 细琢的元件结构，提高功率器件的性能并扩大其应用。现在，

在我们现在的日常生活中，每天都有不断增长的数据被产生、存储及服务，而社交网络、在线视频、物联网设备和汽车高级驾驶员辅助系统(ADAS)则是这些数据尤其主要的贡献者。以ADAS为例，数据存储咨询公司Co

Paul L. Brohlin设计和系统经理；Yogesh K. Ramadass模拟设计经理；CeTIn Kaya设计工程师受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统