东芝公司宣布推出全球最小级别嵌入式NAND闪存产品，这些产品整合了采用尖端的15纳米工艺技术制造的NAND芯片。新产品符合最新的e.MMCTM标准，适用于各种广泛的数字消费产品，包括智能手机、平板电脑

西安3D V-NAND芯片厂是三星最大的海外投资项目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片厂。今日报道，工业气体供应商空气产品公司将助力三星生产的3D V-NAND闪存芯片，宣布将为3D V-N

全球存储模组大厂金士顿预估，今年因为主要DRAM大厂没有增产计划，全年DRAM面临缺货窘境；群联董事长潘健成也强调，储存型快闪存储（NAND Flash）因为进入3D世代，制程良率无法提升，预估将缺货