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芯闻早报:明年国产闪存芯片将亮相 苹果下周发布MacBook
今日芯闻早报:2017年中国将推自主生产3D NAND闪存 32层堆栈;2035年无人驾驶汽车将占全球汽车销量的四分之一;标准型DRAM市场供不应求;SK海力士与美史丹佛大学携手研发类人脑半导体元件;
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数据量的增大导致主流3D NAND闪存已经不够用
(文章来源:北国网)随着数据量的迅速增大,主流存储技术也在迅速向前推进中。3D NAND闪存从2014年的24层,到2016年的48层,到2017年的64层,再到2018年的96层,以及明年的1XX层
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PK三星闪存 紫光2019年将量产64层3D NAND闪存
紫光集团董事长赵伟国作为中国发展半导体领军人物,他近期接受Nikkei Asian Review专访时,提到两个发展重要目标,第一,在行动芯片业务方面,要在2020年时,大幅缩小与全球两大手机芯片商美