【导读】IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器

8月10日，有全球知名电子科技媒体主办的2022年汽车电子创新技术研讨会在中国深圳成功举办。共有近200名来自各汽车电子相关企业的技术专家们莅临现场，带来了最新的技术分享。研讨会上，赛晶半导体技术支持

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2016年10月11日讯 - Littelfuse， Inc.宣布推出IGBT模块功率半导体产品组合的最新产品系列——MG12600WB-BR2MM。 相比该产品组合之前产品的最高额定电流（450A）

英飞凌科技大中华区应用工程师 张浩如何评估IGBT模块的损耗与结温？英飞凌官网在线仿真工具IPOSIM，是IGBT模块在选型阶段的重要参考。这篇文章将针对IPOSIM仿真中的散热器热阻参数Rthha，

面对高度竞争化的混合动力车和电动汽车(HEVEV)市场，动力集成研发工程师正在向更高的系统效率、稳定性和可靠性挑战。功率逆变器在动力集成系统中至关重要，通常由6个4×6英寸封装的IGBT模块组成。这