非易失性内存_内存溢出

技术

采用55纳米非易失性内存的Qorivva MCU

这款新Qorivva微控制器(MCU)系列基于Power Architecture ·技术，采用独特的55纳米(nm)非易失性内存(NVM)构建而成，旨在提高下一代汽车的节能性和性价比。Qorivva

自动浇花
2022-8-17
24 0 0 0
技术

富士通电子推出可在高温下稳定运行的新款2Mbit FRAM

这款非易失性内存是高端汽车市场高级驾驶辅助系统（ADAS）的理想之选上海，2020年5月11日 – 富士通电子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型号为MB85RS2MLY的全新2Mbit FRAM，

幸福万象
2022-8-4
23 0 0 0

Error[2]: array_keys() expects parameter 1 to be array, null given, File: /www/wwwroot/outofmemory.cn/tmp/view_template_wqo_wpcom_htm_tag.htm, Line: 137

File: /www/wwwroot/outofmemory.cn/tmp/view_template_wqo_wpcom_htm_tag.htm, Line: 137, array_keys()
File: /www/wwwroot/outofmemory.cn/tmp/route_tag.php, Line: 115, include(/www/wwwroot/outofmemory.cn/tmp/view_template_wqo_wpcom_htm_tag.htm)
File: /www/wwwroot/outofmemory.cn/tmp/index.inc.php, Line: 174, include(/www/wwwroot/outofmemory.cn/tmp/route_tag.php)
File: /www/wwwroot/outofmemory.cn/index.php, Line: 30, include(/www/wwwroot/outofmemory.cn/tmp/index.inc.php)

采用55纳米非易失性内存的Qorivva MCU

富士通电子推出可在高温下稳定运行的新款2Mbit FRAM