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实现20nm及更尖端工艺的3D芯片堆叠
2012年4月27日讯 - GLOBALFOUNDRIES今天宣布,在为新一代移动和消费电子应用实现3D芯片堆叠的道路上,公司达到了一个重要的里程碑。在其位于美国纽约萨拉托加郡的Fab 8,GLOBA
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CuSn金属互化物的微凸点芯片堆叠技术
本文研究主要考虑基于CuSn金属互化物的微凸点(μbump)作为芯片堆叠的手段。系统研究了形成金属互化物凸点连接的两种方法。一:瞬时液相(TLP)键合,在此过程中,全部Sn焊料熔化,随后通过与焊料盘的
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芯片堆叠助力摩尔定律问题解决
设计和制作芯片封装的工程师成为今年Semicon West备受瞩目的焦点。封装工程师的工作通常较鲜为人知,但他们现在必须随时待命,以协助推动如今更为分歧的半导体技术蓝图持续前进。在Semicon We