最近，中国微电子所集成电路先导工艺研发中心在下一代新型FinFET逻辑器件工艺研究上取得重要进展。微电子所殷华湘研究员的课题组，利用低温低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上实现了全金属化源漏

FinFET称为鳍式场效应晶体管（Fin Field-Effect Transistor），是由美籍华人科学家胡正明教授提出的，其中的Fin在构造上与鱼鳍非常相似，所以称为“鳍式”，而FET的全名是“

AMD季度业绩前景进行了展望，不是很乐观，收入可能会下滑8%至大约9.5亿美元，比此前预计的下滑3%严重很多，同时非GAAP毛利率仅28%。更有趣的是，AMD在展望中透露了一些工艺方面的变化。本来，G

随着高级工艺的演进，电路设计团队在最先进的晶片上系统内加载更多功能和性能的能力日益增强。与此同时，他们同样面临许多新的设计挑战。多重图案拆分给设计实施过程带来了许多重大布局限制，另外为降低功耗和提高性