二维数值_内存溢出

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功率MOSFET抗SEB能力的二维数值模拟

1 引言功率VDMOSFET晶体管以其开关速度快、输入电阻高、频率特性好、驱动能力高、跨导线性度高等特点，广泛应用在空间系统的电源电路中。但它在空间辐射环境中极易被重离子诱发SEB，造成功率变换器或电

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2022-8-5
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功率MOSFET抗SEB能力的二维数值模拟