最新的「倾斜离子注入」（TII）制程据称能够实现比当今最先进制程更小达9nm的特征尺寸…美国柏克莱实验室（Berkeley Lab）的研究人员日前发表最新的「倾斜离子注入」（TIlted ion im

先进制程晶圆代工市场战火愈演愈烈。继台积电宣布将分别于2015、2017年推出16和10奈米鳍式电晶体（FinFET）制程后，格罗方德（GLOBALFOUNDRIES）日前也喊出将超前台积电1年，于2

本文来自求是缘半导体，作者：莫大康。莫大康先生是求是缘半导体联盟顾问。亲历50年中国半导体产业发展历程的著名学者、行业评论家。台积电总裁魏哲家在一年一度的供应链论坛上宣布将在南科6厂旁边新建一座8英寸

晶圆代工厂在先进制程的竞争愈演愈烈。行动装置对采用先进制程的晶片需求日益高涨，让台积电、联电、GLOBALFOUNDRIES与三星等晶圆厂，皆不约而同加码扩大先进制程产能，特别是现今需求最为殷切的28