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QA01
技术
SiC Mosfet管特性及其专用驱动电源
一、 引言以Si为衬底的Mosfet管因为其输入阻抗高,驱动功率小,驱动电路简单,具有靠多数载流子工作导电特性,没有少数载流子导电工作所需要的存储时间,因而开关速度快,工作频率可到500kHz,甚至M
印顺法师
2022-8-5
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