MOSFET，开关_内存溢出

技术

基于屏蔽栅极功率MOSFET技术降低传导和开关损耗

电源设计挑战DCDC设计人员一直面临着提高效率和功率密度的挑战。而功率MOSFET技术的不断进步帮助他们得以实现这一目标。导通阻抗Rds(on)和栅极电荷Qg中，一般总是一个减小则另一个增大，故功率

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2022-8-6
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基于屏蔽栅极功率MOSFET技术降低传导和开关损耗