IEDM_内存溢出

技术

IEDM：PCM研究朝20nm迈进

非挥发性相变记忆体技术长久以来一直被讨论是否可取代现有的主动式记忆体和快闪记忆体，但迄今仍充满争议，因为尽管多年来有许多公司相继投入研发，但仍未达量产水准。不过，尽管如此，三星的研究团队仍计划在今年底

史玉柱博客
2022-8-8
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IEDM：PCM研究朝20nm迈进