4Gb DDR_内存溢出

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三星首家量产40nm级工艺4Gb DDR3绿色内存芯片

三星首家量产40nm级工艺4Gb DDR3绿色内存芯片三星电子宣布，该公司已经在业内第一家使用40nm级别工艺批量生产低功耗的4Gb DDR3内存芯片。这种内存芯片支持1.5V和1.35V两种工作电

二次开发平台
2022-8-9
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三星首家量产40nm级工艺4Gb DDR3绿色内存芯片