电子发烧友早八点讯： 极紫外光（EUV）微影技术持续取得重大进展。在日前于美国加州圣荷西举行的国际光电工程学会（SPIE）年度会议上，英特尔（Intel）与三星（Samsung）的专家表示，EUV正缓

半导体工业在光学微影技术的帮助下，长期形成持续且快速的成长态势，但光学微影在面对更精密的制程已开始出现应用瓶颈，尤其在小于0.1微米或更精密的制程，必须使用先进光学微影或非光学微影术予以克服…早期半导

极紫外光（EUV）微影技术将于2015年突破量产瓶颈。传统浸润式微影技术在半导体制程迈入1x纳米节点后将面临物理极限，遂使EUV成为产业明日之星。设备供应商艾司摩尔（ASML）已协同比利时微电子研究中

晶圆代工厂迈入高投资与技术门槛的鳍式场效电晶体（FinFET）制程世代后，与整合元件制造商（IDM）的竞争将更为激烈，因此台积电正积极筹组大联盟（Grand Alliance），串连矽智财（IP）、半