已经为基于 GaN 的高电子迁移率晶体管(HEMT)的增强模式开发了两种不同的结构。这两种模式是金属-绝缘体-半导体 (MIS) 结构，2具有由电压驱动的低栅极泄漏电流，以及栅极注入晶体管 (GIT)

氮化镓功率器件由于其优异的性能而被用于越来越多的应用中。本文解释了要考虑的主要特征。一项可能的研究是将 GaN 用于低温应用，例如航空、太空和超导系统，特别是在不同电路配置中低于液氮温度 (77 K)

在可用于 GaN 晶体管的不同结构中，横向结构是目前使用最广泛的。氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT)是使用二维电子气作为晶体管通道的横向器件。这些器件允许功率电路（例如转换器）实现高效率和高功率密

科锐公司(纳斯达克：CREE)日前在巴尔的摩举行的 2011 年 IEEE 国际微波研讨会上展出业界首款面向卫星通信应用的 GaN HEMT MMIC 高功率放大器 (HPA) 。与现有商用 GaAs