制硅技术_内存溢出

技术

攻克制硅技术难题芯片制造成本大幅下降

一般来说制硅需要超过 2，000 华氏度（约 1，090 摄氏度）的高温，消耗的能源量非常之大，不过最近密歇根大学（University of Michigan）开发出了一种使用液态金属制硅的新技术，

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2022-8-11
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