磁阻效应（Magnetoresistance Effects）是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变化而变化的现象。同霍尔效应一样，磁阻效应也是由于载流子在磁场中受到洛伦兹力而产生的。在达到稳态时，某—速度的载流子所受到的电场力与洛伦兹

作者朱公子 第三代半导体 我估摸着只要是炒股或者是关注二级市场的朋友们，这几天一定都没少听这词儿，如果不是大盘这几天实在是太惨了，估计炒作行情会比现在强势的多得多。那到底这所谓的第三代半导体

磁敏电阻是利用半导体的磁阻效应制造的，常用InSb(锑化铟)材料加工而成。半导体材料的磁阻效应包括物理磁阻效应和几何磁阻效应。其中物理磁阻效应又称为磁电阻率效应。 磁敏电阻是利用半导体的磁阻效应制造的，常用InSb(锑化铟)材料加工而成。半

NO,NO,NO,准确的说，磁敏元件的定义其实是仿照光敏元件，力敏元件来的，也就是说所有能够根据磁场的强弱的变化产生对应的变化的元件都叫做磁敏元件。而在这众多的磁敏元件里面，因磁场变化所引起的变化又分很多种，因此磁敏元件也分很多种，比如

问题一：什么叫做磁阻效应1. 谓磁电阻效应，是指对通电的金属或半导体施加磁场作用时会引起电阻值的变化。其全称是磁致电阻变化效应。磁电阻效应可以表达为 式中 △ρ――有磁场和无磁场时电阻率的变化量； ρ0――无磁场时的电阻率； ρB――有

磁敏电阻是利用半导体的磁阻效应制造的，常用InSb(锑化铟)材料加工而成。半导体材料的磁阻效应包括物理磁阻效应和几何磁阻效应。其中物理磁阻效应又称为磁电阻率效应。 磁敏电阻是利用半导体的磁阻效应制造的，常用InSb(锑化铟)材料加工而成。半

这种结构物质的电阻值与铁磁性材料薄膜层的磁化方向有关，两层磁性材料磁化方向相反情况下的电阻值，明显大于磁化方向相同时的电阻值，电阻在很弱的外加磁场下具有很大的变化量。巨磁阻效应被成功地运用在硬盘生产上，具有重要的商业应用价值。巨磁阻效应在

一、开关磁阻电机发展简介 开关磁阻电机是80年代初随着电力电子、微电脑和控制技术的迅猛发展而发展起来的一种新型调速驱动系统，具有结构简单、运行可靠及效率高等突出特点，成为交流电机调速系统、直流电机调速系统和无刷直流电机调速系统的强有力的竞争

超快恢复二极管（SRD）是一种半导体二极管，开关特性好、反向恢复时间超短，常被用来给高频逆变装置的开关器件做续流、吸收、钳位、隔离、输出和输入整流器，使得开关器件的功能得到充分发挥，是用电设备高频化（20KHz以上）和高频设备固态化发展不可

一定条件下，导电材料的电阻值R随磁感应强度B的变化规律称为磁阻效应。如图1所示，当半导体处于磁场中时，导体或半导体的载流子将受洛仑兹力的作用，发生偏转，在两端产生积聚电荷并产生霍耳电场。如果霍耳电场作用和某一速度载流子的洛仑兹力作用刚好抵消

影响半导体电阻改变的原因,一是载流子在磁场中运动受到（洛仑兹力）的作用,另一个（作用是霍尔电场）。由于霍尔电场作用会抵消电子运动时受到的洛伦兹力作用，磁阻效应被大大减弱，但仍然存在。 磁敏材料能通过磁阻效应将磁信号转换成电信号。磁阻效应包括

磁性离子掺入到半导体中替代部分阳离子的位 置形成稀磁半导体，通过局域自旋磁矩和载流子之间 存在强烈的自旋-自旋交换作用，在外加电场或者磁 场的影响下，会使载流子的行为发生改变，从而产生 异于半导体基质的特性。自旋-自旋交换相互作用是 DM

磁敏材料能通过磁阻效应将磁信号转换成电信号。磁阻效应包括材料的电阻率随磁场而变化和元件电阻值随磁场而变化两种现象。前者称磁电阻率效应或物理磁阻效应，后者称为磁电阻效应或几何磁阻效应。 磁敏电阻材料主要是电子迁移率大的半导体材料，还有铁镍钴

磁铁对导线电阻有影响。磁铁对电阻有感应作用，生电感。磁铁电阻作为接近开关使用的典型应用电路，是为了提高检测灵敏度的，在选用锑化铟磁敏电阻时，应选用磁阻比值较大的，或采用磁能积较大的永久磁铁。磁铁对电阻的作用，磁敏电阻是利用半导体的磁阻效应

一般有半导体磁阻元件和三极管词组元件这两种相关资料：磁阻元件是一种即使在使用多个磁阻体薄膜时制造工序也不需要极高的精度且可提高磁阻体薄膜的布局自由度的磁阻元件。磁阻（magnetic reluctance）是指含有永磁体的磁路中的一个参量。

磁性离子掺入到半导体中替代部分阳离子的位 置形成稀磁半导体，通过局域自旋磁矩和载流子之间 存在强烈的自旋-自旋交换作用，在外加电场或者磁 场的影响下，会使载流子的行为发生改变，从而产生 异于半导体基质的特性。自旋-自旋交换相互作用是 DM

稀磁半导体（Diluted magnetic semiconductors, DMS）是指非磁性半导体中的部分原子被过渡金属元素（transition metals, TM）取代后形成的磁性半导体。因为一般掺入的杂质浓度不高，磁性比较弱，因

巨磁电阻效应是指对通电的金属或半导体施加磁场作用时会引起电阻值的变化。其全称是磁致电阻变化效应。巨磁阻是一种量子力学效应，它产生于层状的磁性薄膜结构。这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。当铁磁层的磁矩相互平行时，载流子与自旋有

对半导体性质影响最大的是温度：禁带宽度与温度有关；载流子浓度更是与温度有关；载流子迁移率也与温度有关；半导体的体积等也与温度有关（热膨胀）。光照影响：可产生非平衡载流子，导致光电导。压力影响：压阻效应。接触影响：形成pn结、金属-半导体接触