IGBT 是三端器件，芯片内部结构包含有栅极、集电极和发射极，等效电路如图2-1所示，在IGBT的栅极G和发射极E之间加+15V标准电压，则IGBT导通，如果集电极有上拉电阻，集电极和发射极电压将会变
引 言由于大功率电源负载需求的增加以及分布式电源系统的发展，开关电源的并联应用技术日益重要。但是并联运行的各个开关电源模块特性并不一致，外特性好（电压调整率小）的模块可承担更多的电流，甚至过载，从而使
