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北航大与微电子所成功研制出国内首个80纳米自旋转移矩

近日，北京航空航天大学与微电子所联合成功制备国内首个80纳米自旋转移矩——磁随机存储器芯片(STT-MRAM)器件。STT-MRAM是一种极具应用潜力的下一代新型存储器解决方案。由于采用了大量的新材料

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2022-8-15
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北航大与微电子所成功研制出国内首个80纳米自旋转移矩