14nm FinFET_内存溢出

技术

格罗方德展示基于先进14nm FinFET工艺技术的业界领先56Gbps长距离SerDes

2016年12月13 日，格罗方德公司今天宣布，已证实运用14纳米FinFET工艺在硅芯片上实现真正长距离56Gbps SerDes性能。作为格罗方德高性能ASIC产品系列的一部分，FX-14™ 具有

yfu
2022-8-16
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格罗方德展示基于先进14nm FinFET工艺技术的业界领先56Gbps长距离SerDes