碳化硅（SiC）功率元件正快速在太阳能（PV）逆变器应用市场攻城掠地。SiC功率元件具高频和耐高温特性，不仅可较传统硅功率半导体，提供更高的电源转换效率，更可减少所需的电容和感测器数量，已吸引愈来愈多

太阳能（PV）三级逆变器（Three Level Inverter）设计架构正快速崛起。大多数逆变器业者已计画在今年扩大导入三级拓扑结构，提升金属氧化物半导体场效应电晶体（MOSFET）切换频率与导入