硅FET_内存溢出

技术

GaN FET与硅FET的比较

功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花时间执行数个供货商所使用的成本缩减策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板，以及更低成本的塑料封装。对于电源设计人员来说，理解GaN有可能带来的性能提升，以

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2022-8-16
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GaN FET与硅FET的比较