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用MR9830构成的电子变压器
中心论题:
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具备出色稳定性的CoolSiC MOSFET M1H
【导读】过去几年,实际应用条件下的阈值电压漂移(VGS(th))一直是SiC的关注重点。英飞凌率先发现了动态工作引起的长期应力下VGS(th)的漂移现象,并提出了工作栅极电压区域的建议,旨在最大限度地
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OLED电源设计
中心论题:OLED 的电源规格。 数码相机正电压的解决方案。 手机正电压的解决方案。 介绍负电压的解决方案。 解决方案:
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瑞能半导体以效率优势探索,凭新一代碳化硅MOSFET定义性能新高度
【导读】2022年9月6日,瑞能半导体CEO Markus Mosen先生受邀出席了在上海盛大举办的第九届中国国际半导体高管峰会(以下简称:CISES)。在CISES上,Markus Mosen先生发