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高功率GaN RF放大器的热考虑因素

【导读】氮化镓 (GaN) 是需要高频率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的应用的理想选择。与硅相比，GaN 具有达 3.4 eV 的 3 倍带隙，达 3.3 MVcm 的 20 倍临界电场击

电视耳机
2022-9-26
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高功率GaN RF放大器的热考虑因素