芯塔电子_内存溢出

技术

芯塔电子推出新一代SiC MOSFET，性能达到国际一流水平

近日，国内第三代半导体新锐企业芯塔电子正式宣布推出新一代1200V 40-80mΩ SiC MOSFET，器件各项性能达到国际领先水平。此举标志着芯塔电子在第三代半导体领域取得了重大进展，进一步丰富了

杜子华
2022-9-26
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