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MOSFET的开关速度将决定未来POL电源的性能
中心论题:概述以往转换器不能现今以至将来的要求描述采用DirectFET MOSFET并基于四相同步整流器解决方案:DirectFETTM MOSFET多相功率变换同步整流器采用了可在1~2MHz频率
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单电源分配网络(PDN)部分在产品设计中的重要性
芯片的纳米工艺,大家可能不熟悉。但说到手机处理器应该不陌生,现有手机芯片一般用的是7纳米工艺,网上说三星在瞄准3纳米,而台积电在布局4纳米。这说明芯片沟道会越来越按比例缩小,集成电路的核心电压会降低。