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STV250N55F3" gt
技术
STV250N55F3:意法半导体新250A功率MOSFET
产品特性:采用引线带楔焊键合与表面贴装技术电阻率:1.5毫欧,低损耗开关损耗低,抗雪崩性能强功率高,额定功率为300W工作温度可达175℃,可用于55V设备有额定连续电流250A、200A的两款产品应
实验室装备
2022-10-21
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