SiC单管_内存溢出

技术

仿真看世界之SiC单管的开关特性

【导读】如下图1是今年英飞凌新推出的一颗TO-247-3封装的1200V45mΩ的SiC MOSFET单管。假定该器件焊到PCB后，其管脚到器件内部芯片栅极、漏极和源极的杂散参数如下图所示，其中VD

between是什么意思
2022-10-22
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技术

仿真看世界之SiC单管并联中的寄生导通问题

【导读】这篇微信文章，其实构思已久。为了有所铺垫，已在2020和2021发布了两篇基础篇。2022，让我们再次聊聊在SiC单管并联中的寄生导通问题。这篇微信文章，其实构思已久。为了有所铺垫，已在20

moonglow
2022-10-22
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仿真看世界之SiC单管的开关特性

仿真看世界之SiC单管并联中的寄生导通问题