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UnitedSiC" gt
技术
SiC FET的起源及其向着完美开关发展的历程
【导读】使用宽带隙半导体作为高频开关为实现更高的功率转换效率提供了有力支持。一个示例是，碳化硅开关可以实施为SiC MOSFET或以共源共栅结构实施为SiC FET。本白皮书追溯了SiC FET的起源
商道即人道
2022-10-22
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