该ADP160ADP161是超低静态电流，低压差，即从2.2 *** 作V至5.5 V和提供高达150毫安的输出电流的线性稳压器。低195 mV的压降电压在150 mA负载提高效率，并允许 *** 作的宽输入电压范

随着移动通信技术的发展，射频(RF)电路的研究引起了广泛的重视。采用标准CMOS工艺实现压控振荡器(VCO),是实现RF CMOS集成收发机的关键。过去的VCO电路大多采用反向偏压的变容二极管作为压控

工业自动化发展热潮正不断升温，尤其是在可确保设备安全性和可靠性的隔离设计方面上更是涌现了巨量的设计需求，引来可观的商机。工业自动化四大技术挑战为了协助业界人士加速实现相关解决方案，本文除针对工业自动化

很多学习半导体技术的人弄不清CMOS与BIOS之间的联系与区别，容易误认为两个表达的是一个东西，其实不然，两者有关联却不相同。什么是CMOS与BIOS？CMOS又被称作互补金属氧化物半导体，电压控制的

RF 功率MOSFET的最大应用是无线通讯中的RF功率放大器。直到上世纪90年代中期，RF功率MOSFET还都是使用硅双极型晶体管或GaAs MOSFET。到90年代后期，的出现改变了这一状况。和硅双

多项目原型设计服务使用户均摊费用，有效减少生产成本中国，2013年11月13日——奥地利微电子公司（SIX股票代码：AMS）晶圆代工业务部今日宣布将于2014年向用户推出快速、低成本的IC原型设计服务

半导体技术研究可望为广泛的医疗电子、通讯、显示器、数位相机等领域带来进步与创新。这是IMEC研究机构的研究人员们针对其最新研究成果所描绘的未来愿景。透过本文图集，读者将得以一窥其中的部份研发进展。电子

新日本无线推出的这款单电路轨至轨输出的CMOS运放 NJU77806 的独特之处是同时具有业界最低噪声 （5.5nV√Hz typ. at f=1kHz） 和低功耗 （1.8V，500uA） 两种特

记得有一次，客户拿着处理器板走进我的办公室，说它的功耗太大，耗尽了电池电量。由于我们曾骄傲地宣称该处理器属于超低功耗器件，因此举证责任在我们这边。我准备按照惯例，一个一个地切断电路板上不同器件的电源，

2002年2月，美国联邦通信委员会（ FCC）为超宽带无线通信系统规划了3.1 - 10.6GHz的频谱资源，引起了全球性的研究热潮。超宽带技术具有低功耗、高数据传输速率、抗干扰性强等优点。超 宽带低

混频器是无线收发机中的核心模块， 对整个系统的性能具有很大影响。线性度、转换增益是衡量一个混频器性能的重要指标。在接收机中， 混频器具有一定的转换增益可以降低混频器后面各级模块设计的难度， 有利于提高

１　MPXY8020A的特性结构Motorola MPXY8020A 是一个８引脚的监控传感器。它集成有一个可变电容的压力感应元件、一个温度感应元件和一个有唤醒功能的内部电路，并采用ＳＳＯＰ超小型封装

随着移动通信技术的迅速发展，对射频电路的高速、低功耗要求日益增长。基于锁相环（PLL）结构的频率合成器是收发机前端电路的重要组成部分，对为混频器提供纯净的本振信号，具有重要地位。在PLL中，压控振荡器

【2013年7月23日】Avago Technologies （Nasdaq： AVGO）为有线、无线和工业应用模拟接口零组件领先供应商宣布其28nm串行解串器（SerDes）核心已经达到32Gbp

Diodes公司 （Diodes Incorporated） 为旗下强化了的74HC、74HCT、74AHC及74AHCT CMOS （互补金属氧化物半导体） 逻辑系列，新增标准的移位寄存器及译码器逻

现在微机电系统已经远远超越了“机”和“电”的概念, 将处理热、光、磁、化学、生物等结构和器件通过微电子工艺及其他一些微加工工艺制造在芯片上, 并通过与电路的集成甚至相互间的集成来构筑复杂微型系统.1

I. 引言早于上世纪九十年代初，有意见认为电荷耦合器件（Charge Coupled Device，CCD）日渐式微，最终将成为“科技恐龙”[1]。如果用索尼公司（Sony）2015年的发布来看待，这

全球手机晶片龙头高通功率放大器（PA）等射频（RF）元件策略转向，拟由现行台积电代工的CMOS制程，转为砷化镓制程，宏捷科、稳懋等代工厂有机会受益，对台积电影响则待观察。高通2014年推出自家的射频元

Q：1、电阻电容的封装形式如何选择，有没有什么原则？比如，同样是 104 的电容有 0603、0805 的封装，同样是 10uF 电容有 3216、0805、3528 等封装形式，选择哪种封装形式比较