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CMOS射频前端牛逼的技术挑战传统工艺
现阶段,无线连接市场发展迅速,市场规模不断扩张,其中主要驱动力是移动设备以及物联网应用的爆发式增长。在无线连接中射频前端芯片有着关键的作用,目前主要采用GaAs或SiGe工艺,但由于其材料的稀缺性及工
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CMOS集成模拟开关的原理
1、CMOS集成模拟开关的基本原理CMOS模拟开关具有电源电压范围宽(4000系列一般为3V-18V)、微功耗(低于1UW),
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THz等级光敏电晶体“击沉”硅电晶体
美国普渡大学(Purdue University)研究人员已经证明可与互补式金属氧化物半导体(CMOS)相容、且速度可达4THz(Terahertz)的全光敏电晶体(All-opTIcal Trans
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三星全新CMOS曝光 或将打败索尼成为最大厂商
毫无疑问,索尼在移动设备用的CMOS领域的领先地位是统治级别的。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。也许是因为索尼在CMOS领域实在是太优秀了,导致其他CMOS厂商都被忽略了。随着这几年智能
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论高性能 LDO 是如何满足汽车摄像头模块功率要求的
后视摄像头正在成为车辆的基本安全特性;事实上,美国国家公路交通安全管理局 (NHTSA) 宣布,2018年5月之后生产的全部汽车必须具有后视技术。所以在这篇博文中,我将讨论一下使用。图1显示的是高性能
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NS新推高带宽的 1V 轨到轨输入及输出 CMOS 运算放大器-LMV951
NS推出一款高带宽的 1V 轨到轨输入及输出 CMOS 运算放大器,使NS高性能、低电压、低功率运算放大器系列有更多不同的型号可供选择。此款型号为 LMV951 的运算放大器具有高带宽及低功率的优点,
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Linear推出低噪声、高精度CMOS运算放大器-LTC6244
Linear推出低噪声、高精度CMOS运算放大器系列的最新成员LTC6244。LTC6244是一个双路运算放大器,并具有可挑战精密双极放大器的50MHz增益带宽和输入特性,并提供了其它放大器所无法提供
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基于CMOS和DSA设计方法的数字步进衰减器设计
采用CMOS技术的数字步进衰减器能提供较高的抗ESD能力、高线性度、低插入损耗、串联及并联逻辑接口以及专有的超低噪音负电压发生器。本文基于Peregrine(派更)半导体公司的单片数字步进衰减器(DS
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RDA6205芯片基本信息介绍
作为目前在世界上使用最为广泛的移动通信标准,自从九十年代开始在全球大规模商用以来,GSM一直展示出强大的生命力。不管是在GSM的发源地欧洲,还是在移动通信的新兴市场亚洲、非洲,GSM系统都拥有最为成熟
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低功耗高线性度CMOS温度传感器的原理及设计
今天为大家介绍一项国家发明专利——一种低功耗、高线性度CMOS温度传感器。该专利由中国科学院上海高等研究院申请,并于2019年1月4日获得授权公告。内容说明本发明涉及一种温度传感器电路,特别是涉及一种
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一张图看懂半导体产业的风雨30年
虽然半导体行业早在20世纪60年代就发明了CMOS技术,但基于CMOS集成电路芯片的商用IC及电子系统的起步时间要从20世纪70年代开始算起,且其伴随个人电脑(PC)市场的真正增长是在20世纪80年代
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CMOS射频前端未来市场如何?会面临什么问题
做Wi-Fi芯片厂商的国内外均有不少,但常见的Wi-Fi射频前端芯片厂商却不多,比如Skyworks(收购了SiGe)、、Microsemi、 Qorvo(由RFMD与Triquint合并而成,可能很
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锐迪科推出全系列硅基CMOS工艺的GSM功率放大器RTM72xx产品
锐迪科微电子(以下简称“RDA”)今日宣布累计量产20亿颗GSM功率放大器芯片,并正式推出全系列硅基CMOS工艺的GSM功率放大器RTM72xx产品。自2007年7月份推出第一款GSM 射频功率放大器
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可提供单片解决方案的CMOS片上压电MEMS超声换能器平台
据麦姆斯咨询报道,马来西亚CMOS和MEMS代工服务供应商SilTerra近日发布了用于指纹识别传感和医疗成像应用的CMOS片上压电MEMS超声换能器(piezoelectric micromachi
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CMOS图像传感器领域的小红人-格科微电子
打开格科微电子(下称“格科微”)官网,右下角那一句愿景直接给笔者灌了一口鸡汤“成为世界一流的芯片公司”,像极了学生时代,黑板上方的那句“只要学不死,就往死里学”“高考是你超越富二代的唯一机会”等标语,
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SmartSens发布首款基于BSI的商业级30万像素CMOS图像传感器
据麦姆斯咨询报道,近日,技术领先的CMOS图像传感器供应商SMARTSENS发布了全球首款基于BSI(背照式)像素工艺的商业级30万像素Global Shutter CMOS图像传感器——SC031G
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佳能公布号称目前世界最大的高灵敏度CMOS图像传感器
一般情况下,电子元件都是越小越好,但图像传感器却是个例外,大尺寸传感器的好处在于能聚集更多光线,噪音更低且内部聚焦更精确。据外媒Fstoppers报道,佳能近日公布了一项关于传感器的最新研发成果,其推
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硅锗BiCMOS突破成本和性能难以平衡困难
砷化镓PA是CMOS工艺通向“单芯片手机”之路上的最后堡垒。这个堡垒并不易攻克,因为CMOS PA的性能比不上砷化镓PA,而提高性能带来的成本增加则会让CMOS PA失去成本优势。在基带、电源管理和射
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基于商用CMOS工艺的RFID标签电路设计
射频识别(RFID)市场出现强劲增长,2004年其销售额高达17亿美元,2008年预计将达到59亿美元。这种激增的需求受到来自下一代RFID系统的带动,下一代系统将会提供非视距的可读性、改进的安全性,