双通道内存时序如何设置?

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问题描述:

CPU是P4 2.66GHZ,外频133MHZ,前端总线533MHZ

内存是金士顿DDR400有2条组成双通道共1G容量

内存时序几种设置如下:

1.内存DDR400,内存时序3-3-3-8

2.把内存DDR400降到RRD266,内存时序2-2-2-6

*补充:因为CPU的前端总线533MHZ,2条内存在双通道下DDR266就够用了,而不用DDR400,对吗?

所以我想在内存频率够用的情况下,降低内存的时序数字,来提高内存的性能.

高手指教!

解析:

不是的,你应该错了,533M的端总线要333才够用,如果是要266的话就=没开双通了,性能提高不是很明显的.主板哪里应该有一项可调到333的.

你应该在有333的前提下再去调时序,否则效果不大

呵呵,这个我也不清楚我是在书上看的,你如果不信也可以上网查下,

我看的书上是这样说的 前端总线400 对DDR266 前端总线533对 DDR333 前端总线800 对DDR400(这只是对INTEL而说的能AMD的会有点不同)

我现在才发觉你对前端总线的理解是错的,前端总线不是这样算的,

它和你内存条的多小没关的.

我上面说的是对的,你就按我说的去做吧,包你有体验.

内存时序是一种参数,一般存储在内存条的SPD上，设置方式如下：

1、F12进入BIOS，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”。

2、BIOS设置中可能出现的其他描述有，Automatic Configuration，Auto，Timing Selectable，Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable）。

3、内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS。

4、预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。

首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。

扩展资料：

内存延迟参数最常见的几项为CAS(CL)、tRCD、tRP 、tRAS，这其中大多数是沿用JEDEC的内存标准而来。下面是几种参数的设置方式：

1、较低的CAS周期能减少内存的潜伏周期以提高内存的工作效率。因此只要能够稳定运行 *** 作系统，应当尽量把CAS参数调低。

2、tRCD(RAS To CAS Delay)： 内存行地址控制器到列地址控制器的延迟时间，参数选项有2和3这两个选择，同样是越小越好。

3、tRP(RAS Precharge Time)： 内存行地址控制器预充电时间，参数选项有2和3这两个选择，预充电参数越小则内存读写速度就越快。

4、tRAS(RAS Active Time)： 内存行有效至预充电的最短周期，我们可选的参数选项有5，6或者7这3个，但是在一些nForce 2 主板上的选择范围却很大，最高可到 15，最低达到 1。调整这个参数最好设在5－11之间。

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