nor flash 怎么 *** 作?

nor flash 怎么 *** 作?,第1张

具体的方法:

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NOR Flash上数据线和地址线是分开的

NAND Flash上数据线和地址线是共用的

NOR FLASH/NAND FLASH 是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR Flash 技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND Flash 结构,强调降低每比特的成本,有更高的性能,并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。NOR Flash 的特点是芯片内执行(XIP ,eXecute In Place),这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR 的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。NAND的结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于Flash的管理和需要特殊的系统接口。通常NOR的速度比NAND稍快一些,而NAND的写入速度比NOR快很多,在设计中应该考虑这些情况。闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。

NOR/NAND FLASH 性能比较

flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入 *** 作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入 *** 作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除 *** 作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。

由于擦除NOR器件时是以64~128KB的块进行的,执行一个写入/擦除 *** 作的时间为5s,与此相反,擦除NAND器件是以8~32KB的块进行的,执行相同的 *** 作最多只需要4ms。

执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距,统计表明,对于给定的一套写入 *** 作(尤其是更新小文件时),更多的擦除 *** 作必须在基于NOR的单元中进行。这样,当选择存储解决方案时,设计师必须权衡以下的各项因素。

l NOR的读速度比NAND稍快一些。

2 NAND的写入速度比NOR快很多。

3 NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。

4 大多数写入 *** 作需要先进行擦除 *** 作。

5 NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。

接口差别

NOR flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。

NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。

NAND读和写 *** 作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类 *** 作,很自然地,基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。

易于使用

可以非常直接地使用基于NOR的闪存,可以像其他存储器那样连接,并可以在上面直接运行代码。

由于需要I/O接口,NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。

在使用NAND器件时,必须先写入驱动程序,才能继续执行其他 *** 作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧,因为设计师绝不能向坏块写入,这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。

软件支持

当讨论软件支持的时候,应该区别基本的读/写/擦 *** 作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件,包括性能优化。

在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持,在NAND器件上进行同样 *** 作时,通常需要驱动程序,也就是内存技术驱动程序(MTD),NAND和NOR器件在进行写入和擦除 *** 作时都需要MTD。

使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些,许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件,这其中包括M-System的TrueFFS驱动,该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。

Nor Flash一般再对Flash进行 *** 作前都要读取芯片信息比如设备ID号。这样做的主要目的是为了判断自己写的程序是否支持该设备。 Nor Flash支持2种方式获取ID号。一种是编程器所用的方法需要高电压(11.5V-12.5V)。另一种方法就是所谓的in-system方法,就是在系统中通过NorFlash的命令寄存器来完成。详细使用方法可以到百度一下查看更多资料。

你好,一般默认情况下是利用C盘的剩余空间来做虚拟内存的,因此C盘的剩余空间越大对系统运行就越好,虚拟内存是随着你的使用而动态地变化的,这样C盘就容易产生磁盘碎片,影响系统运行速度,所以,最好将虚拟内存设置在其它分区,如D盘中。

1、右键点“我的电脑”,左键点“属性”,点选“高级”选项卡,点“性能”里的“设置”按钮,再选“高级”选项卡,点下面的“更改”按钮,所d出的窗口就是虚拟内存设置窗口,一般默认的虚拟内存是从小到大的一段取值范围,这就是虚拟内存变化大小的范围,最好给它一个固定值,这样就不容易产生磁盘碎片了,具体数值根据你的物理内存大小来定,一般为物理内存的1.5到2倍,如内存为256M,那么应该设置256*1.5=384M,或者干脆512M。

2、设置方法如下:

假设内存为256M,虚拟内存放在D盘,先要将默认的清除,保持C盘为选中状态,单选“无分页文件(N)”再按“设置”按钮,此时C盘旁的虚拟内存就消失了,然后选中D盘,单选“自定义大小”,在下面的“初始大小”和“最大值”两个方框里都添上512,再点一下“设置”按钮,会看到D盘的旁边出现了“512-512”的字样,这样就说明设置好了,再一路确定,最终,系统会要重新启动,重启一下,便完成了设置。

3、注意:虚拟内存只能有一个,只放在一个盘中!


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