星期1:
摆摊。ARM公司研讨会,在摆摊。早上还差点迟到了。遇到的人倒是很多,但是遇到的大多数参与的人员是做IC的,剩余的就是代理商,做MID的。摆摊的倒是以A8,A9的居多,还有烧录器等。隔壁的兄弟和我同名,在做烧录器的FAE,最便宜的也要卖2W多。。呵呵,暂时是用不起了。
好玩的就是,下午的抽奖竟然让我上了。磕磕碰碰讲了几个字。然后抽了四张。。哈哈。后来,Randy问我,记得那几个人没,我说没,他是想说,如果记得的话,做个回访就好了。Good IDea。
星期2:
又回老东家了。帮忙调试和熟悉一下低阶和中阶的产品。把UART的中断优先级提到了最高。
static __INliNE voID NVIC_SetPriority(IRQn_Type IRQn,uint32_t priority)。
例如:NVIC_SetPriority(USART0_RX_IRQn,0);
由于我们的EFM32仅支持8个优先级的中断,因此这个值只能是从0~7.
另外,在做iPad的界面UI。目前主要是在抠图。已经做了两个页面了。时间有些赶啊。
后记 :
数字0表示优先级最高(芯片复位后的默认情况)。另外,参考EFM32的手册之后,USART0(我用到的)RX的中断默认硬件优先级已经很高了。所以,调整的必要性不大。
星期3:
挪威答应帮忙做FA了。等待RMAnumber。等到之后,邮寄出去就行。已经打包好了。
帮助杭州的客户解决Flash *** 作的问题。反馈的问题是 *** 作Flash时,有复位现象发生。确认不是因为使用盗版的jlink而产生的现象之后,大约明白是因为在擦写Flash时有中断发生。建议客户关闭总中断或则使用RAM函数。
关闭总中断,则IAR则调用__disable_irq(); 开启总中断则用__enable_irq();
如果使用RAM函数,则参考如下的细节:
#ifdef __CC_ARM /* MDK-ARM compiler */
msc_Return_TypeDef MSC_WriteWord(uint32_t *address,voIDconst *data,int
numBytes);
msc_Return_TypeDef MSC_ErasePage(uint32_t *startAddress);
#endif /* __CC_ARM */
#ifdef __ICCARM__ /* IAR compiler */
__ramfunc msc_Return_TypeDef MSC_WriteWord(uint32_t*address,voID const
*data,int numBytes);
__ramfunc msc_Return_TypeDef MSC_ErasePage(uint32_t*startAddress);
#endif /* __ICCARM__ */
#ifdef __GNUC__ /* GCC based compilers */
#ifdef __CROSSWORKS_ARM /* Rowley Crossworks */
msc_Return_TypeDef MSC_WriteWord(uint32_t *address,int
numBytes) __attribute__ ((section(".fast")));
msc_Return_TypeDef MSC_ErasePage(uint32_t *startAddress)__attribute__
((section(".fast")));
#else /* Sourcery G++ */
msc_Return_TypeDef MSC_WriteWord(uint32_t *address,int
numBytes) __attribute__ ((section(".ram")));
msc_Return_TypeDef MSC_ErasePage(uint32_t *startAddress)__attribute__
((section(".ram")));
#endif /* __GNUC__ */
#endif /* __CROSSWORKS_ARM */
下午还是去了honeywell。最主要是要解释一下LESENSE的功能,同时和磁阻传感器做比较。同时了解一下案子的具体情况。另外还要了解一下另外一个案子的进展状况。
但是没有用过磁阻传感器,但是感觉磁阻传感器MR和霍尔还是有些区别的,搜索了一下,honeywell本身也生产MR传感器。呵呵。参考附件:
http://download.csdn.net/detail/efm32/3864492
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