这个死区时间的仿真我仔细研究过,仿真不可靠,系统很笨的,用的计算方法是:死区时间与CDK分频无关,与定时器预分频系数(psc)成正比,与TIM_BDTRInitStructTIM_DeadTime的值成简单正比(即不受你发的图寄存器设置值影响)。很明显,这计算方法是错的,所以你仿真成功的概率很低。
而硬件实际的效果正完全如手册描述的那样,没有错误!
所以仿真不一定可靠,你用示波器看下波形就知道了。或者利用输入捕获实验把高电平时间串口打印出来,就很直观了。不过原子哥的程序中得到的时间小了2us,因为硬件生效也是需要时间的,同时,从0开始计数有个期望值为偏小05us的误差,总共的2us误差是我实验测出来的。你加上2us误差就很小了!先给一个我自己的例子( 死区时间为178us)
设T1CLK=HSPCLK/(2)=225MHz/2=1125MHz
//死区时间为178us
EvaRegsDBTCONAbitDBT=10; //死区定时器周期,m=10
EvaRegsDBTCONAbitEDBT1=1; //死区定时器1使能位
EvaRegsDBTCONAbitDBTPS=1; //预定标因子为1 死区时间tbd=210/(1125M)us=178us
//完
建议将死区控制寄存器各位进行定义 ,这样便于计算死区时间DT为死区持续时间,TDTS为系统时钟周期时长,Tdtg为系统时钟周期时长乘以倍数后的死区设置时间步进值。
在72M的定时器时钟下TDTS=1/72M=1389ns
所以以第一个公式,死区时间能以1389ns的步进从0调整到1271389ns=1764ns
第二个公式则能(64+0)21389~(64+63)21389=17779ns~352888ns
换个角度看,就是(128~254)1389同理,
第三个公式就是355584ns~700056ns
换个角度看,就是(256~504)1389
第四个公式就是711168ns~1400112ns
换个角度看,就是(512~1008)1389简介:
通常叫做死区时间,deadtime,常用于功率开关控制信号翻转时避免发生误触发。
很多电源管理类芯片都会通过检测反馈电流或反馈电压,对一个或多个外部功率器件进行控制,例如MOSFET或IGBT等等。这些反馈电流或电压信号,常常会被功率器件开关时产生的噪声所影响,导致输入芯片内部的信号叠加了一些由导线寄生电感和芯片寄生电容引起的spike,这些spike噪声会导致芯片内部产生误触发,输出错误的控制信号。
为了避免spike噪声的影响,通常在控制信号翻转后到反馈信号稳定的一端时间内,对反馈信号的运算电路进行屏蔽,这段时间就是死区时间。
设计方法
:死区主要是针对IGBT开关管来说的,理想情况下,逆变器的单桥臂的IGBT总是互补地导通和关断。但由于IGBT在关断过程中,存在拖尾效应,故关断时间比开通时间相对较长。若在关断过程中,同一桥臂上地IGBT立即导通,则必然导致直流母线电压直通而损害IGBT。这在高频开关电路显更为显著,因此,在实际应用中,使同一桥臂的上下IGBT的导通和关断错开一定的时间,即死区时间,以保证同一桥臂的上下IGBT总是先关断后导通。
注入死区时间地方法有多种,如对称式,混合式、延时导通以及提前导通补偿等。但最简单的实现方法是延时导通。硬件上可采取一个RC延时和一个或门来实现;软件则可直接调用延时程序来实现;对于2000系列DSP来说,可直接设置死区时间。
死区时间有2个含义,具体如下:
一、《死区时间》(Deadtime )是2013年澳大利亚的一部动作。
简介:女儿的失踪让父亲陷入了对犯罪者的极度罪恶感,他的厌恶情绪影响了他的生活,同时另一方面,女儿自己也不知所措,她唯一的希望就是有一个偶然的机会可以让她逃离出魔爪。
二、电脑专业术语。
死区时间是PWM输出时,为了使H桥或半H桥的上下管不会因为开关速度问题发生同时导通而设置的一个保护时段,通常也指pwm响应时间。
在这个时间,上下管都不会有输出,当然会使波形输出中断,死区时间一般只占百分之几的周期。但是PWM波本身占空比小时,空出的部分要比死区还大,所以死区会影响输出的纹波,但应该不是起到决定性作用的。
死区时间时序图如下图所示:
严格地说,用51单片机的两个定时器实现PWM脉冲的死区时间,有点多此一举,因为一个定时器就能搞定。如果为了回答问题而回答问题,用51单片机的两个定时器实现PWM脉冲的死区时间,一个定时器控制高电平时间,并设置一最大值,定时器赋值时判断定时值如果大于最大值则等于最大值;一个定时器控制低电平时间,并设置一最小值,定时器赋值时判断定时值如果小于最小值则等于最小值。死区时间是PWM输出时,为了使H桥或半H桥的上下管不会因为开关速度问题发生同时导通而设置的一个保护时段。通常也指pwm响应时间。 由于IGBT(绝缘栅极型功率管)等功率器件都存在一定的结电容,所以会造成器件导通关断的延迟现象。一般在设计电路时已尽量降低该影响,比如尽量提高控制极驱动电压电流,设置结电容释放回路等。为了使igbt工作可靠,避免由于关断延迟效应造成上下桥臂直通,有必要设置死区时间,也就是上下桥臂同时关断时间。死区时间可有效地避免延迟效应所造成的一个桥臂未完全关断,而另一桥臂又处于导通状态,避免直通炸模块。
死区时间大,模块工作更加可靠,但会带来输出波形的失真及降低输出效率。死区时间小,输出波形要好一些,只是会降低可靠性,一般为us级。一般来说死区时间是不可以改变的,只取决于功率元件制作工艺!
死区时间是指控制不到的时间域。在变频器里一般是指功率器件输出电压、电流的“0”区,在传动控制里一般是指电机正反向转换电压、电流的过零时间。死区时间当然越小越好。但是所以设置死区时间,是为了安全。因此又不可没有。最佳的设置是:在保证安全的前提下,越小越好。以不炸功率管、输出不短路为目的(baidu的) 死区时间是PWM输出时,为了使H桥或半H桥的上下管不会因为开关速度问题发生同时导通而设置的一个保护时段,所以在这个时间,上下管都不会有输出,当然会使波形输出中断,死区时间一般只占百分之几的周期。但是PWM波本身占空比小时,空出的部分要比死区还大,所以死区会影响输出的纹波,但应该不是起到决定性作用的。
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