具体参考>
SDRAM在读写数据时重点注意的信号
CKE:时钟使能信号,为输入信号,高电平有效。CKE信号的用途有两个:一、关闭时钟以进入省电模式;二、进入自刷新状态。CKE无效时,SDRAM内部所有与输入相关的功能模块停止工作。
CLK:时钟信号,为输入信号。SDRAM所有输入信号的逻辑状态都需要通过CLK的上升沿采样确定。
CS#:片选信号,为输入信号,低电平有效。只有当片选信号有效后,SDRAM才能识别控制器发送来的命令。设计时注意上拉。
CAS#:列地址选通信号,为输入信号,低电平有效。
FLASH则不一定,要看你是否有放程序代码或者是固定的数据(如汉字码,正弦表之类的)。因为FLASH 扩展是有原因的,要么是扩展为程序存储器,要么是大量固定代码,有时还利用其非易失性,把用户数据暂存,这样重新开机就可以回到开机前状态。一般来说,FLASH是不能换的,除非重新写数据进去。不过也有例外。
烧录就是往ROM里面装数据,可以通过专门的烧写器来完成。有的芯片支持在线烧录,就是可以不把芯片拆下来就编程的。具体看你芯片的型号和功能。
不知明白了没。
1性能差别
(1)与SDRAM相比:DDR运用了更先进的同步电路,使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行,又保持与CPU完全同步。
(2)DDR使用了DLL(Delay Locked Loop,延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术,当数据有效时,存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据,每16次输出一次,并重新同步来自不同存储器模块的数据。
(3)DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度,它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据,因而其速度是标准SDRAM的两倍。
2外部差别
(1)从 外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大,他们具有同样的尺寸和针脚距离。标准的DDR内存条是184引脚线 DIMM(双面引脚内存条)。它很像标准的168引脚线 SDRAM DIMM,只是用了一个凹槽而不是SD上的两个凹槽。
(2)组件的长度也是525英寸,主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。
(3)DDR内存采用的是支持25V电压的SSTL2标准,而不是SDRAM使用的33V电压的LVTTL标准。
扩展资料
演变
(1)SDRAM从发展到现在已经经历了五代,分别是:第一代SDR SDRAM,第二代DDR SDRAM,第三代DDR2 SDRAM,第四代DDR3 SDRAM,第五代DDR4 SDRAM。
(2)第一代SDRAM采用单端(Single-Ended)时钟信号,第二代、第三代与第四代由于工作频率比较快,所以采用可降低干扰的差分时钟信号作为同步时钟。
(3)SDR SDRAM的时钟频率就是数据存储的频率,第一代内存用时钟频率命名,如pc100,pc133则表明时钟信号为100或133MHz,数据读写速率也为100或133MHz。
(4)之后的第二,三,四代DDR(Double Data Rate)内存则采用数据读写速率作为命名标准,并且在前面加上表示其DDR代数的符号,PC-即DDR,PC2=DDR2,PC3=DDR3。如PC2700是DDR333,其工作频率是333/2=166MHz,2700表示带宽为27G。
(5)DDR的读写频率从DDR200到DDR400,DDR2从DDR2-400到DDR2-800,DDR3从DDR3-800到DDR3-1600。
参考资料:
参考资料:
DDR=DDR SDRAM,是Double Data Rate SDRAM的缩写
例:DDR400 DDR333内存
SDRAM=“Synchronous Dynamic random access memory”的缩写
例:PC133 PC150内存
SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据,它是在时钟的上升期进行数据传输;而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据,它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据,因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。
与SDRAM相比:DDR运用了更先进的同步电路,使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行,又保持与CPU完全同步;DDR使用了DLL(Delay Locked Loop,延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术,当数据有效时,存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据,每16次输出一次,并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度,它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据,因而其速度是标准SDRA的两倍。
从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大,他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚,比SDRAM多出了16个针脚,主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持25V电压的SSTL2标准,而不是SDRAM使用的33V电压的LVTTL标准。
DDR内存的频率可以用工作频率和等效频率两种方式表示,工作频率是内存颗粒实际的工作频率,但是由于DDR内存可以在脉冲的上升和下降沿都传输数据,因此传输数据的等效频率是工作频率的两倍。
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