如何实现删除430单片机Flash中的其中一个数据

如何实现删除430单片机Flash中的其中一个数据,第1张

MSP430 FLASH型单片机的FLASH存储器模块根据不同的容量分为若干段,其中信息存储器SegmengA及SegmentB各有128字节,其他段有512字节。SegmentB的地址是:0x01000h到0x107F,SegmentA的地址是:0x01080h到0x010FFh。其他段的地址根据容量不同,从0xFFFFh开始,每512字节为一段进行分配。

FLASH存储器写入数据时,每一位只能由“1”变成“0”,不能由“0”变成“1“,因此,当我们有数据要保存到FLASH存储器时,要先对目标段进行整段擦除 *** 作,擦除 *** 作使的对应段FLASH存储器变成全“1”。下面是擦除FLASH段的子程序,配置好必要的寄存器后,向段中任意地址写入数据,及擦除一段。

void flash_clr(int *ptr)

{

_DINT()//关中断

FCTL3 = 0x0A500//* Lock = 0 开锁

FCTL1 = 0x0A502//* Erase = 1 使能擦除

*((int *) ptr) = 0//* 擦除段

} FLASH存储器可以按字节写入,也可以按字写入。 void flash_write_int8(int8_t *ptr, int8_t value) // 字节写入 { _DINT()

FCTL3 = 0x0A500// Lock = 0 开锁

FCTL1 = 0x0A540// Write = 1使能写入

*((int8_t *) ptr) = value// 写入数据

}

void flash_write_int16(int16_t *ptr, int16_t value) // 字写入 { _DINT()

FCTL3 = 0x0A500/* Lock = 0 */ FCTL1 = 0x0A540/* Write = 1 */

*((int16_t *) ptr) = value/* Program the flash */ }

// FLASH存储器可以连续写入 按字节写入指定的数量的数据

void flash_memcpy(char *ptr, char *from, int len)

{

_DINT()

FCTL3 = 0x0A500/* Lock = 0 */

FCTL1 = 0x0A540/* Write = 1 */

while (len) { *ptr++ = *from++len--} } 在我们的应用程序中可以将要保存的数据放在一个自定义的结构中,例如:

typedef struct Setup

{

float gain_ch0// 0通道增益 float gain_ch1// 1通道增益 float gain_ch2// 2通道增益

char init_flag//初始化标记,恒为0xAA

}SETUP

我们定义了一个SETUP结构,存放三个AD通道的增益,以及其他要掉电保存的信息,init_flag的作用是标志FLASH的参数是否已被正确初始化,当我们设置了FLASH参数后,将init_flag置一个固定值,例如设为0xAAh,在程序开始运行时,检查init_flag,当init_flag的值为0xAAh时,表明参数已被初始化。

使用FLASH参数:在程序中定义一个SETUP类型的指针变量,通过这个指针访问FLASH中的参数。例如:

#define SegmentA 0x1080

float temp

SETUP *p_setup_flash = (SETUP *) SegmentA

if(p_setup_flash->init_flag == 0xAA)

{

temp = p_setup_flash->gain_ch0

}

修改FLASH信息:由于FLASH不能象RAM一样直接修改,可以将FLASH信息拷贝到RAM中,修改相应参数后,重新保存到FLASH存储器中,之前要先擦除FLASH存储区。例如:

SETUP *p_setup

SETUP buf// 临时变量

p_setup = (SETUP *) SegmentA // 指向FLASH memcpy((char *) buf, (char *) p_setup_flash, sizeof(SETUP))// 拷贝到RAM p_setup = &buf// 指向RAM

p_setup->gain_ch0 = 1.02// 修改参数

flash_memcpy((char *) p_setup_flash, (char *) buf, sizeof(SETUP))// 拷贝到FLASH

在写flash之前需要对相应的扇区进行擦除,否则数据就会出错。因为430的flash是“与”结构,只能通过向某一位写0将该位拉低,比如复位值是0xFF,先写入0x0F将高4位变成0,如果不擦除(即将该位重新置为0xFF)再向该地址写入0xF0,该地址的值就会变成0x00,而不是想要的0xF0。

你所出现的死机可能是你擦除或者写入的时候将原来的程序块改变了,比如原来程序是在0x2000地址开始的地方,你写入的数据和它在一个地址就会导致程序错误,程序跑飞,使单片机死机。


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原文地址: http://outofmemory.cn/yw/11366728.html

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