如何实现nand flash的读，写，擦除 *** 作

Fisrt part ：

NAND flash和NOR flash的不同

NOR flash采用位读写，因为它具有sram的接口，有足够的引脚来寻址，可以很容易的存取其内部的每一个字节。NAND flash使用复杂的I/O口来穿行地存取数据。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND的读和写单位为512Byte的页，擦写单位为32页的块。

● NOR的读速度比NAND稍快一些。

● NAND的写桐团余入速度比NOR快很多。

● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。

● 大多数写入 *** 作需要先进行擦除 *** 作。

● NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。

在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样 *** 作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和或蠢NOR器件在进行写入和擦除 *** 作时都需要MTD。

---------摘抄自网上流传很广的《NAND 和 NOR flash的区别》

Second part：

NAND Flash结构与驱动分析

一、NAND flash的物理组成

NAND Flash 的数据是以bit的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device的位宽。这些Line会再组成Page，(NAND Flash 有多种结构，我使用的NAND Flash 是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M)，每页528Bytes(512byte(Main Area)+16byte(Spare Area))，每32个page形成一个Block(32*528B)。具体一片flash上有多少个Block视需要所定。我所使用的三星k9f1208U0M具有4096个block，故总容量为4096*（32*528B）=66MB，但是其中的2MB是用来保存ECC校验码等额外数据的，故实际中可使用的为64MB。

NAND flash以页为单位读写数据，而以块为单位擦除数据。按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址：

Column Address：Starting Address of the Register. 翻成中文为列地址，地址的低8位

Page Address ：页地址

Block Address ：块地址

对于NAND Flash来讲，地址和命令只能在I/O[7:0]上传递，数据宽度是8位。

二、NAND Flash地址的表示

512byte需要9bit来表示，对于528byte系列的局滚NAND，这512byte被分成1st half Page Register和2nd half Page Register，各自的访问由地址指针命令来选择，A[7:0]就是所谓的column address（列地址），在进行擦除 *** 作时不需要它，why？因为以块为单位擦除。32个page需要5bit来表示，占用A[13:9]，即该page在块内的相对地址。A8这一位地址被用来设置512byte的1st half page还是2nd half page，0表示1st，1表示2nd。Block的地址是由A14以上的bit来表示。

例如64MB（512Mb）的NAND flash（实际中由于存在spare area,故都大于这个值），共4096block，因此，需要12个bit来表示，即A[25:14]，如果是128MB(1Gbit) 的528byte/page的NAND Flash，则block address用A[26:14]表示。而page address就是blcok address|page address in block NAND Flash 的地址表示为： Block Address|Page Address in block|halfpage pointer|Column Address 地址传送顺序是Column Address,Page Address,Block Address。

由于地址只能在I/O[7:0]上传递，因此，必须采用移位的方式进行。 例如，对于512Mbit x8的NAND flash，地址范围是0~0x3FF_FFFF，只要是这个范围内的数值表示的地址都是有效的。 以NAND_ADDR 为例：

第1 步是传递column address，就是NAND_ADDR[7:0]，不需移位即可传递到I/O[7:0]上，而halfpage pointer即A8 是由 *** 作指令决定的，即指令决定在哪个halfpage 上进行读

写，而真正的A8 的值是不需程序员关心的。

第2 步就是将NAND_ADDR 右移9位，将NAND_ADDR[16:9]传到I/O[7:0]上；

第3 步将NAND_ADDR[24:17]放到I/O上；

第4步需要将NAND_ADDR[25]放到I/O上；

因此，整个地址传递过程需要4 步才能完成，即4-step addressing。 如果NAND Flash 的容量是32MB（256Mbit）以下，那么，block adress最高位只到bit24，因此寻址只需要3步。

下面，就x16 的NAND flash 器件稍微进行一下说明。 由于一个page 的main area 的容量为256word，仍相当于512byte。但是，这个时候没有所谓的1st halfpage 和2nd halfpage 之分了，所以，bit8就变得没有意义了，也就是这个时候 A8 完全不用管，地址传递仍然和x8 器件相同。除了，这一点之外，x16 的NAND使用方法和 x8 的使用方法完全相同。

三、NAND flash驱动解读

以前由于做移植多一些，那些工作很简单（现在看来），从来都不用去关心驱动里面到底怎么实现的，这几次面试才发现真的是学的太浅了，似乎我还在学习仰泳而那些牛人基本都属于潜水级的了，潜的不知有多深。我对照着开发板所带的NAND flash驱动和k9f1208的芯片资料把这些代码通读了一遍，终于明白了NAND flash的读写过程是如何实现的了。我所参考的驱动是mizi公司为三星芯片所写的，我看看了，大概和官方2.4.18内核的nand.c差不多。

在s3c2410处理器中有专门的NAND flash控制器，他们位于SFR区，具体可以参看s3c2410用户手册。以下的这些代码均可以在vivi或者kernel里面找到，文中会标明程序出自何处。在vivi中，有关NAND flash的驱动都在driver/mtd/nand/下，该目录中包含的源文件：smc_core.c是NAND flash的主要驱动。

NAND flash 芯片定义了一个很长的结构，这个结构中包含了 *** 作NAND flash的函数和一些必要的变量（include/mtd/nand.h）。

struct nand_chip {

#ifdef CONFIG_MTD_NANDY

void (*hwcontrol)(int cmd)

void (*write_cmd)(u_char val)

void (*write_addr)(u_char val)

u_char (*read_data)(void)

void (*write_data)(u_char val)

void (*wait_for_ready)(void)

int page_shift

u_char *data_buf

u_char *data_cache

intcache_page

struct nand_smc_dev *dev

u_char spare[SMC_OOB_SIZE]

#else

……

#ifdef CONFIG_MTD_NAND_ECC

u_char ecc_code_buf[6]

u_char reserved[2]

#endif

#endif

}

纵观对NAND flash的各种 *** 作（read、write、erase），无外乎如下几种 *** 作：

1．选择flashnand_select()

2．发送命令 nand_command()

3．进行相应 *** 作 read，write……

4．反选NAND flash nand_deselect()

下面是以上四步的实现代码：

1、选择NAND flash

#define nand_select() this->hwcontrol(NAND_CTL_SETNCE)\

nand_command(mtd, NAND_CMD_RESET, -1, -1)\

udelay (10)

hwcontrol(NAND_CTL_SETNCE)的作用是设置2410的NAND FLASH CONFIGURATION (NFCONF) REGISTER的NAND Flash Memory chip enable位为0，这位寄存器在自动重启后就被系统自动清零。如果要访问NAND flash的内存，这位必须置1。

nand_command(mtd, NAND_CMD_RESET, -1, -1)；向flash发送命令，此命令为reset，即为重置NAND flash。

然后是10us的延迟，给flash个反应时间。

2、发送命令

Nand_command()同样在smc_core.c中实现。NAND flash的命令有如下几种：

命令 命令值描述

NAND_CMD_READ00读 *** 作

NAND_CMD_READ11读 *** 作

NAND_CMD_PAGEPROG0x10页编程 *** 作

NAND_CMD_READOOB0x50读写OOB

NAND_CMD_ERASE1 0x60读写 *** 作

NAND_CMD_STATUS0x70读取状态

NAND_CMD_STATUS_MULTI0x71读取状态

NAND_CMD_SEQIN0x80写 *** 作

NAND_CMD_READID0x90读Flash ID号

NAND_CMD_ERASE2 0xd0擦写 *** 作

NAND_CMD_RESEToxff复位 *** 作

按照程序的注释，可以将该函数的实现分为如下几步：

1、Begin command latch cycle

实现代码：

this->hwcontrol(NAND_CTL_SETCLE)

this->hwcontrol(NAND_CTL_DAT_OUT)

找到第二条语句的定义，发现什么都么做，不解!!希望达人解答。我猜想可能是一个数据读出的使能 *** 作，允许数据读出。

Command Latch Enable(CLE) and Address Latch Enable(ALE) are used to multiplex command and address respectively, via the I/O pins. The CLE input controls the path activation for commands sent to the command register. When active high, commands are latched into the command register through the I/O ports on the rising edge of the nWE signal. 看了这段英文相信对第一条语句的作用已经十分清楚了，他就是用来控制向命令寄存(COMMAND SET (NFCMD) REGISTER)发送命令的。

2、 Write out the command to the device

这部分对于不同的命令来说， *** 作的步骤也不太相同，如果为写 *** 作，那么还有根据flash不同的容量决定 *** 作步骤，具体可以参看代码。如果为其他命令，那么就是简单的一行：

this->write_cmd (command)

将命令直接想到命令寄存器（NFCMD[7:0]）中。

3、 Set ALE and clear CLE to start address cycle &Serially input address

1中已经提到了ALE和CLE的作用，现在开始发送地址。

实现代码：

this->hwcontrol(NAND_CTL_CLRCLE)// clear the command latch enable

this->hwcontrol(NAND_CTL_SETALE)// set the address latch enable

然后按位 *** 作，是用函数write_addr()将地址写到NAND FLASH ADDRESS SET (NFADDR) REGISTER中。

4、 Latch in address

实现代码：

this->hwcontrol(NAND_CTL_CLRALE)

this->hwcontrol(NAND_CTL_DAT_IN)

地址发送完毕，清楚ALE。

5、 Pause for 15us

我使用的VIVI中，使用udelay (15)延时15us，但这个时间会因NAND Flash的不同而不同。

三、Operation

根据函数的不同， *** 作部分会不一样，但是主要的是对NAND FLASH DATA (NFDATA) REGISTER的 *** 作，或写（编程）或者读。通过读或写函数的参数来返回或传递读出的值或写入的值。写得 *** 作通常比较麻烦，他要将写到flash的内容重新读出后进行ECC校验，如果数据正确则在重新真正的写（编程），如果错误，则将数据写入flash的另一个块。读和写都是以页为单位进行 *** 作。而擦除则以块为单位，三个周期发送完地址。擦除完毕后同样需要进行检察以确定是否擦除成功。

四、De-select the NAND device

实现代码：

#define nand_deselect() this->hwcontrol(NAND_CTL_CLRNCE)

反选flash吧，不知这样叫正确与否，跟select the NAND device相反，亦即使用完后将使能flash位清0，代码是NFCONF位于0x4e00_0000的位置（NFCONF |= NFCONF_nFCE_HIGH），有兴趣的可以读读代码，看看这是怎么实现的，我的感觉就是关于寄存器的清置读起来都比较晕。

基于三星K8F2G08U0M存储芯片的读写 *** 作，如命令、地址、数据的读写时序，读芯片ID、页读、页写、随机读、随机写，坏块的检测、标记及处理。

（1）写命令子函数

void Write_Command(unsigned char Com)

{

FLASH_CLE = 1

FLASH_ALE = 0

FLASH_WE = 0

XBYTE[XP] = Com

FLASH_WE = 1

}

（2）写地址子函数

void Write_Address(unsigned char Addr)

{

FLASH_CLE = 0

FLASH_ALE = 1

FLASH_WE = 0

XBYTE[XP] = Addr

FLASH_WE = 1

}

（3）写数据子函数

void Write_Data(unsigned char dat)

{

FLASH_CLE = 0

FLASH_ALE = 0

FLASH_RE = 1

FLASH_WE = 0

XBYTE[XP] = dat

FLASH_WE = 1

}

（4）读数据子函数

unsigned char Read_Data(void)

{

unsigned char dat

FLASH_CLE = 0

FLASH_ALE = 0

FLASH_WE = 1

FLASH_RE = 0

dat = XBYTE[XP]

FLASH_RE = 1

return dat

}

(5) 读ID函数

FLASH_CEN = 0 //读ID

Write_Command(0x90)

Write_Address(0x00)

AA1 = Read_Data() //0xEC

AA2 = Read_Data() //0xDA

AA3 = Read_Data() //无所谓

AA4 = Read_Data()

FLASH_CEN = 1

【Nand Flash的种类】

具体再分，又可以分为

1)Bare NAND chips：裸片，单独的nand 芯片

野败2)SmartMediaCards： =裸片+一层薄塑料，常用于数码相机和MP3播放器中。之所以称smart，是由于其软件smart，而不是硬件本身有啥smart之处。^_^

3)DiskOnChip：裸片+glue logic，glue logic=硬件ECC产生器+用于静态的nand 芯片控制的寄存器+直接访问一小片颂睁颤地址窗口，那块地址中包含了引导代码的stub桩，其可以从nand flash中拷贝真正的引导代码。

【spare area/oob】

Nand由于最初硬件设计时候考虑到，额外的错误校验等需要空间，专门对应每个页，额外设计了叫做spare area空区域，在其他地方，比如jffs2文件系统中，也叫做oob（out of band）数据。

其具体用途，总结起来有：

1. 标记是否是坏快

2. 存储ECC数据

3. 存储早粗一些和文件系统相关的数据，如jffs2就会用到这些空间存储一些特定信息，yaffs2文件系统，会在oob中，存放很多和自己文件系统相关的信息。

2. 软件方面

如果想要在Linux下编写Nand Flash驱动，那么就先要搞清楚Linux下，关于此部分的整个框架。弄明白，系统是如何管理你的nand flash的，以及，系统都帮你做了那些准备工作，而剩下的，驱动底层实现部分，你要去实现哪些功能，才能使得硬件正常工作起来。

【内存技术设备，MTD（Memory Technology Device）】

MTD，是Linux的存储设备中的一个子系统。其设计此系统的目的是，对于内存类的设备，提供一个抽象层，一个接口，使得对于硬件驱动设计者来说，可以尽量少的去关心存储格式，比如FTL，FFS2等，而只需要去提供最简单的底层硬件设备的读/写/擦除函数就可以了。而对于数据对于上层使用者来说是如何表示的，硬件驱动设计者可以不关心，而MTD存储设备子系统都帮你做好了。

对于MTD字系统的好处，简单解释就是，他帮助你实现了，很多对于以前或者其他系统来说，本来也是你驱动设计者要去实现的很多功能。换句话说，有了MTD，使得你设计Nand Flash的驱动，所要做的事情，要少很多很多，因为大部分工作，都由MTD帮你做好了。

当然，这个好处的一个“副作用”就是，使得我们不了解的人去理解整个Linux驱动架构，以及MTD，变得更加复杂。但是，总的说，觉得是利远远大于弊，否则，就不仅需要你理解，而且还是做更多的工作，实现更多的功能了。

此外，还有一个重要的原因，那就是，前面提到的nand flash和普通硬盘等设备的特殊性：

有限的通过出复用来实现输入输出命令和地址/数据等的IO接口，最小单位是页而不是常见的bit，写前需擦除等，导致了这类设备，不能像平常对待硬盘等 *** 作一样去 *** 作，只能采取一些特殊方法，这就诞生了MTD设备的统一抽象层。

MTD，将nand flash，nor flash和其他类型的flash等设备，统一抽象成MTD设备来管理，根据这些设备的特点，上层实现了常见的 *** 作函数封装，底层具体的内部实现，就需要驱动设计者自己来实现了。具体的内部硬件设备的读/写/擦除函数，那就是你必须实现的了。

HARD drives

MTD device

连续的扇区

连续的可擦除块

扇区都很小(512B,1024B)

可擦除块比较大 (32KB,128KB)

主要通过两个 *** 作对其维护 *** 作：读扇区，写扇区

主要通过三个 *** 作对其维护 *** 作：从擦除块中读，写入擦除块，擦写可擦除块

坏快被重新映射，并且被硬件隐藏起来了（至少是在如今常见的LBA硬盘设备中是如此）

坏的可擦除块没有被隐藏，软件中要处理对应的坏块问题。

HDD扇区没有擦写寿命超出的问题。

可擦除块是有擦除次数限制的，大概是104-105次.

表4.MTD设备和硬盘设备之间的区别

多说一句，关于MTD更多的内容，感兴趣的，去附录中的MTD的主页去看。

关于mtd设备驱动，感兴趣的可以去参考

MTD原始设备与FLASH硬件驱动的对话

MTD原始设备与FLASH硬件驱动的对话-续

那里，算是比较详细地介绍了整个流程，方便大家理解整个mtd框架和nand flash驱动。

【Nand flash驱动工作原理】

在介绍具体如何写Nand Flash驱动之前，我们先要了解，大概的，整个系统，和Nand Flash相关的部分的驱动工作流程，这样，对于后面的驱动实现，才能更加清楚机制，才更容易实现，否则就是，即使写完了代码，也还是没搞懂系统是如何工作的了。

让我们以最常见的，Linux内核中已经有的三星的Nand Flash驱动，来解释Nand Flash驱动具体流程和原理。

此处是参考2.6.29版本的Linux源码中的\drivers\mtd\nand\s3c2410.c，以2410为例。

1. 在nand flash驱动加载后，第一步，就是去调用对应的init函数，s3c2410_nand_init,去将在nand flash驱动注册到Linux驱动框架中。

2. 驱动本身，真正开始，是从probe函数，s3c2410_nand_probe->s3c24xx_nand_probe,

在probe过程中，去用clk_enable打开nand flash控制器的clock时钟，用request_mem_region去申请驱动所需要的一些内存等相关资源。然后，在s3c2410_nand_inithw中，去初始化硬件相关的部分，主要是关于时钟频率的计算，以及启用nand flash控制器，使得硬件初始化好了，后面才能正常工作。

3. 需要多解释一下的，是这部分代码：

for (setno = 0setno <nr_setssetno++, nmtd++) {

pr_debug("initialising set %d (%p, info %p)\n", setno, nmtd, info)

/* 调用init chip去挂载你的nand 驱动的底层函数到nand flash的结构体中，以及设置对应的ecc mode，挂载ecc相关的函数 */

s3c2410_nand_init_chip(info, nmtd, sets)

/* scan_ident，扫描nand 设备，设置nand flash的默认函数，获得物理设备的具体型号以及对应各个特性参数，这部分算出来的一些值，对于nand flash来说，是最主要的参数，比如nand falsh的芯片的大小，块大小，页大小等。 */

nmtd->scan_res = nand_scan_ident(&nmtd->mtd,

(sets) ? sets->nr_chips : 1)

if (nmtd->scan_res == 0) {

s3c2410_nand_update_chip(info, nmtd)

/* scan tail，从名字就可以看出来，是扫描的后一阶段，此时，经过前面的scan_ident，我们已经获得对应nand flash的硬件的各个参数，然后就可以在scan tail中，根据这些参数，去设置其他一些重要参数，尤其是ecc的layout，即ecc是如何在oob中摆放的，最后，再去进行一些初始化 *** 作，主要是根据你的驱动，如果没有实现一些函数的话，那么就用系统默认的。 */

nand_scan_tail(&nmtd->mtd)

/* add partion，根据你的nand flash的分区设置，去分区 */

s3c2410_nand_add_partition(info, nmtd, sets)

}

if (sets != NULL)

sets++

}

4. 等所有的参数都计算好了，函数都挂载完毕，系统就可以正常工作了。

上层访问你的nand falsh中的数据的时候，通过MTD层，一层层调用，最后调用到你所实现的那些底层访问硬件数据/缓存的函数中。

【Linux下nand flash驱动编写步骤简介】

关于上面提到的，在nand_scan_tail的时候，系统会根据你的驱动，如果没有实现一些函数的话，那么就用系统默认的。如果实现了自己的函数，就用你的。

估计很多人就会问了，那么到底我要实现哪些函数呢，而又有哪些是可以不实现，用系统默认的就可以了呢。

此问题的，就是我们下面要介绍的，也就是，你要实现的，你的驱动最少要做哪些工作，才能使整个nand flash工作起来。

1. 对于驱动框架部分

其实，要了解，关于驱动框架部分，你所要做的事情的话，只要看看三星的整个nand flash驱动中的这个结构体，就差不多了：

static struct platform_driver s3c2410_nand_driver = {

.probe= s3c2410_nand_probe,

.remove = s3c2410_nand_remove,

.suspend = s3c24xx_nand_suspend,

.resume = s3c24xx_nand_resume,

.driver = {

.name = "s3c2410-nand",

.owner= THIS_MODULE,

},

}

对于上面这个结构体，没多少要解释的。从名字，就能看出来：

（1）probe就是系统“探测”，就是前面解释的整个过程，这个过程中的多数步骤，都是和你自己的nand flash相关的，尤其是那些硬件初始化部分，是你必须要自己实现的。

（2）remove，就是和probe对应的，“反初始化”相关的动作。主要是释放系统相关资源和关闭硬件的时钟等常见 *** 作了。

(3)suspend和resume，对于很多没用到电源管理的情况下，至少对于我们刚开始写基本的驱动的时候，可以不用关心，放个空函数即可。

2. 对于nand flash底层 *** 作实现部分

而对于底层硬件 *** 作的有些函数，总体上说，都可以在上面提到的s3c2410_nand_init_chip中找到：

static void s3c2410_nand_init_chip(struct s3c2410_nand_info *info,

struct s3c2410_nand_mtd *nmtd,

struct s3c2410_nand_set *set)

{

struct nand_chip *chip = &nmtd->chip

void __iomem *regs = info->regs

chip->write_buf= s3c2410_nand_write_buf

chip->read_buf = s3c2410_nand_read_buf

chip->select_chip = s3c2410_nand_select_chip

chip->chip_delay = 50

chip->priv = nmtd

chip->options= 0

chip->controller = &info->controller

switch (info->cpu_type) {

case TYPE_S3C2410:

/* nand flash控制器中，一般都有对应的数据寄存器，用于给你往里面写数据，表示将要读取或写入多少个字节(byte,u8)/字(word,u32) ，所以，此处，你要给出地址，以便后面的 *** 作所使用 */

chip->IO_ADDR_W = regs + S3C2410_NFDATA

info->sel_reg = regs + S3C2410_NFCONF

info->sel_bit = S3C2410_NFCONF_nFCE

chip->cmd_ctrl = s3c2410_nand_hwcontrol

chip->dev_ready = s3c2410_nand_devready

break

。。。。。。

}

chip->IO_ADDR_R = chip->IO_ADDR_W

nmtd->info = info

nmtd->mtd.priv = chip

nmtd->mtd.owner= THIS_MODULE

nmtd->set= set

if (hardware_ecc) {

chip->ecc.calculate = s3c2410_nand_calculate_ecc

chip->ecc.correct = s3c2410_nand_correct_data

/* 此处，多数情况下，你所用的Nand Flash的控制器，都是支持硬件ECC的，所以，此处设置硬件ECC(HW_ECC) ，也是充分利用硬件的特性，而如果此处不用硬件去做的ECC的话，那么下面也会去设置成NAND_ECC_SOFT，系统会用默认的软件去做ECC校验，相比之下，比硬件ECC的效率就低很多，而你的nand flash的读写，也会相应地要慢不少*/

chip->ecc.mode = NAND_ECC_HW

switch (info->cpu_type) {

case TYPE_S3C2410:

chip->ecc.hwctl = s3c2410_nand_enable_hwecc

chip->ecc.calculate = s3c2410_nand_calculate_ecc

break

。。。。。

}

} else {

chip->ecc.mode = NAND_ECC_SOFT

}

if (set->ecc_layout != NULL)

chip->ecc.layout = set->ecc_layout

if (set->disable_ecc)

chip->ecc.mode = NAND_ECC_NONE

}

而我们要实现的底层函数，也就是上面蓝色标出来的一些函数而已：

（1）s3c2410_nand_write_buf 和 s3c2410_nand_read_buf：这是两个最基本的 *** 作函数，其功能，就是往你的nand flash的控制器中的FIFO读写数据。一般情况下，是MTD上层的 *** 作，比如要读取一页的数据，那么在发送完相关的读命令和等待时间之后，就会调用到你底层的read_buf，去nand Flash的FIFO中，一点点把我们要的数据，读取出来，放到我们制定的内存的缓存中去。写 *** 作也是类似，将我们内存中的数据，写到Nand Flash的FIFO中去。具体的数据流向，参考上面的图4。

（2）s3c2410_nand_select_chip ： 实现Nand Flash的片选。

（3）s3c2410_nand_hwcontrol：给底层发送命令或地址，或者设置具体 *** 作的模式，都是通过此函数。

（4）s3c2410_nand_devready：Nand Flash的一些 *** 作，比如读一页数据，写入（编程）一页数据，擦除一个块，都是需要一定时间的，在命发送完成后，就是硬件开始忙着工作的时候了，而硬件什么时候完成这些 *** 作，什么时候不忙了，变就绪了，就是通过这个函数去检查状态的。一般具体实现都是去读硬件的一个状态寄存器，其中某一位是否是1，对应着是出于“就绪/不忙”还是“忙”的状态。这个寄存器，也就是我们前面分析时序图中的R/B#。

（5）s3c2410_nand_enable_hwecc： 在硬件支持的前提下，前面设置了硬件ECC的话，要实现这个函数，用于每次在读写 *** 作前，通过设置对应的硬件寄存器的某些位，使得启用硬件ECC，这样在读写 *** 作完成后，就可以去读取硬件校验产生出来的ECC数值了。

（6）s3c2410_nand_calculate_ecc：如果是上面提到的硬件ECC的话，就不用我们用软件去实现校验算法了，而是直接去读取硬件产生的ECC数值就可以了。

（7）s3c2410_nand_correct_data：当实际 *** 作过程中，读取出来的数据所对应的硬件或软件计算出来的ECC，和从oob中读出来的ECC不一样的时候，就是说明数据有误了，就需要调用此函数去纠正错误。对于现在SLC常见的ECC算法来说，可以发现2位，纠正1位。如果错误大于1位，那么就无法纠正回来了。一般情况下，出错超过1位的，好像几率不大。至少我看到的不是很大。更复杂的情况和更加注重数据安全的情况下，一般是需要另外实现更高效和检错和纠错能力更强的ECC算法的。

当然，除了这些你必须实现的函数之外，在你更加熟悉整个框架之后，你可以根据你自己的nand flash的特点，去实现其他一些原先用系统默认但是效率不高的函数，而用自己的更高效率的函数替代他们，以提升你的nand flash的整体性能和效率。

建议下载安装最局睁新版的flash试试看1.在安装这款软件之前，先确认电脑上原来的老版本已经完全卸载，启动安装程序之后，同意协议之桐和岁后点击“安装”就会自动开始安装。2.由于软件只是一款浏棚雀览器插件，所以安装完成之后不会有任何的表现，但是可以在控

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