单片机C语言延迟程序

下面的延时的基本程序（中断加计数器）

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void

T0_int(void)

interrupt

1

{

TH0

=

0x4C

//重新装载,50MS定时器初值

TL0

=

0x00

T0_count++

if(T0_count==20)

//1S到

{

T0_count

=

0

//在这写程序

}

}

main()

{

TMOD

=

0x01//定时器让颤0,工坦侍败作方式1,16位谈伍计数

TH0

=

0x4C

//50MS定时器初值

TL0

=

0x00

IE

=

0x82

//开总中断，开T0中断

EA

=

1

ET0

=

1

TR0

=

1

T0_count

=

0

i

=

0

loop:

goto

loop

}

还有：

for(us=0us<60us++)

/*延时500us*/

for(us=0us<1us++)

/*

延时15微秒*/

for(us=0us<5us++)

/*

延时51微秒*/

根据外部晶振的不同，延时1毫秒的循旁轿环次数也不一样，一般12M晶振的话用 for(j=timej>0j--)延时时，1毫秒time大概为125左右，这里用110，大概晶振为11.0592M，所以这段程序，内部循环完成1毫秒延时，外部循环完成运橘肆500毫伍档秒延时。

希望对你能有所帮助。

这是一个延时程罩漏磨序，c是延时物斗的相对长短

有两层for循环执行空搜漏语句达到延时目的。

c只是延时的相对大小，c大了，外层循环就多，

时间就长一些。反之亦然。

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